时间：2025/9/14 18:16:50
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BUK9K6R2-40E,115 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、低损耗的电源管理应用，具有较低的导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电源管理系统等领域。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：150A（在 25°C）
导通电阻（RDS(on)）：6.2mΩ（最大值，典型值 4.5mΩ）
封装类型：PowerSO-10
工作温度范围：-55°C 至 175°C
功率耗散（Ptot）：160W
栅极电荷（Qg）：82nC（典型值）
阈值电压（VGS(th)）：2.0V 至 3.5V
BUK9K6R2-40E,115 具备一系列先进的电气和热性能特性，使其成为高功率密度和高效电源设计的理想选择。其核心特性包括：
1. 超低导通电阻：该 MOSFET 的 RDS(on) 最大值为 6.2mΩ，在实际应用中可显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，在较低的栅极电压下仍能维持良好的导通状态，适合使用 4.5V 或 5V 栅极驱动电路。
2. 高电流能力：在标准环境温度下，该器件可承载高达 150A 的连续漏极电流，适用于高功率输出的电源转换器和电机控制电路。
3. 快速开关特性：该 MOSFET 提供较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（COSS），有助于减少开关损耗，提升开关频率，从而缩小外部无源元件的尺寸。
4. 增强的热性能：采用 PowerSO-10 封装，具有良好的散热能力，确保在高功率工作条件下仍能保持稳定运行。
5. 宽工作温度范围：器件可在 -55°C 至 175°C 的温度范围内稳定工作，适应各种严苛环境条件，如工业控制、车载电子系统等。
6. 高可靠性：该 MOSFET 设计符合 AEC-Q100 汽车级可靠性标准，适用于汽车电子系统中的关键电源管理模块。
BUK9K6R2-40E,115 主要应用于需要高效、高功率密度的电源管理系统中，包括：
1. DC-DC 转换器：用于服务器电源、通信设备和工业控制系统中的高效降压或升压转换器。
2. 同步整流器：在隔离式电源拓扑（如反激、正激、LLC 谐振转换器）中作为同步整流开关，显著提升电源效率。
3. 电机驱动与负载开关：用于电机控制、LED 照明驱动以及高电流负载的通断控制。
4. 电池管理系统（BMS）：在电池充放电控制电路中作为主开关器件，实现高效的能量管理。
5. 汽车电子：适用于车载电源转换、电动助力转向系统（EPS）、电池保护电路等对可靠性要求较高的汽车应用。
6. 工业自动化与电机控制：广泛用于工业电机驱动器、伺服控制系统、UPS（不间断电源）等设备。
SiSS160L, SiS4310BDN-T1-GE3, FDS6680, NexFET CSD16325Q3, IPB017N04LC G
