时间：2025/7/1 15:58:31
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GRT1555C1H301GA02D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高效率、低功耗应用设计。该器件采用了先进的制造工艺，具备较低的导通电阻和较高的开关速度，适合于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关等场景。其封装形式通常为表面贴装类型，能够提供卓越的散热性能。
型号：GRT1555C1H301GA02D
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压：60V
最大栅极电压：±20V
连续漏极电流：40A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：45nC
开关时间：ton=15ns, toff=10ns
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-263
1. 采用超低导通电阻技术，有助于减少传导损耗，提升整体效率。
2. 具备快速开关特性，适合高频应用环境。
3. 内置静电防护（ESD）功能，增强芯片在实际使用中的可靠性。
4. 支持大电流输出，适用于高功率密度的设计需求。
5. 封装形式紧凑，便于在有限空间内实现高效布局。
6. 宽广的工作温度范围，适应各种恶劣环境下的稳定运行。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动控制。
3. 工业自动化设备中的负载开关与保护电路。
4. 汽车电子系统中的电池管理及直流转换模块。
5. 高效 DC-DC 转换器的核心功率元件。
6. 多种消费类电子产品中的功率调节与分配方案。
GRT1555C1H201GA02D, GRT1555C1H401GA02D
