时间：2025/5/30 23:13:23
阅读：22
17-21/G6C-FN1P2B/3T 是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于高频开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用场景。该型号属于增强型N沟道场效应晶体管，采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，能够有效降低功耗并提升系统效率。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：21A
导通电阻(Rds(on))：1.2mΩ
栅极电荷(Qg)：45nC
开关频率：最高支持500kHz
工作温度范围：-55℃至+175℃
该芯片采用了最新的半导体技术，具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提高整体能效。
2. 快速的开关性能，适用于高频应用场合。
3. 高度集成化设计，减少了外部元件的数量，降低了系统复杂性。
4. 强大的散热能力，确保在高负载条件下稳定运行。
5. 符合RoHS标准，绿色环保无铅设计。
6. 可靠性高，经过严格的电气测试和质量控制流程。
该型号广泛应用于多种电子设备中，具体包括：
1. 开关电源(SMPS)和适配器。
2. DC-DC转换器及逆变器。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
4. 工业自动化控制设备。
5. 新能源汽车的电池管理系统(BMS)。
6. 充电器和不间断电源(UPS)系统。
其高效能和高可靠性使其成为众多工业和消费类电子产品中的理想选择。
IRFZ44N
FDP5800
AOT290L
STP20NF06
