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ZXMC3AM832TA 发布时间 时间:2025/4/29 16:56:29 查看 阅读:17

ZXMC3AM832TA是一款高性能的低压差线性稳压器(LDO),专为需要低功耗和高精度电压调节的应用而设计。该芯片能够在较宽的输入电压范围内提供稳定的输出电压,并且具备极低的静态电流,非常适合便携式设备和电池供电系统。
  该器件采用先进的CMOS工艺制造,具有出色的负载和线路瞬态响应性能,同时内置了多重保护机制以确保其在各种复杂工作环境下的可靠性。

参数

输入电压范围:1.1V 至 5.5V
  输出电压范围:0.8V 至 3.3V(可调)
  输出电流:高达 300mA
  静态电流:典型值 1.5uA
  压差电压:典型值 250mV(在 300mA 负载下)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装形式:SOT-23-5

特性

ZXMC3AM832TA 提供了多种优越的功能特性,使其成为许多低功耗应用的理想选择。首先,它拥有非常低的静态电流,这极大地延长了电池供电设备的续航时间。
  其次,该芯片具备快速的负载和线路瞬态响应能力,可以有效应对动态负载变化带来的干扰。
  此外,ZXMC3AM832TA 内置了过流保护、过温保护以及短路保护功能,从而提高了系统的安全性和稳定性。
  最后,其小巧的 SOT-23-5 封装使得该器件在空间受限的设计中也能够轻松部署。

应用

该款芯片适用于广泛的应用场景,包括但不限于:
  1. 便携式电子设备,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理。
  2. 工业控制领域,例如传感器接口和远程数据采集模块的供电。
  3. 通信设备,像路由器、交换机等小型化网络设备中的辅助电源部分。
  4. 消费类电子产品,比如数码相机、蓝牙耳机及其他电池驱动的小型装置。

替代型号

ZXMC3AM830SA, AP2112K, MCP1700

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ZXMC3AM832TA参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.9A,2.1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C120 毫欧 @ 2.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs3.9nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds190pF @ 25V
  • 功率 - 最大1.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-MLP
  • 供应商设备封装8-MLP(3x2)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称ZXMC3AM832TATR