GMC04CG910F50NT是一款高功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高频开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特性,适用于各种电源管理场景,如DC-DC转换器、开关电源、电机驱动等领域。
这款芯片通常用于需要高效能和高可靠性的工业及消费类电子设备中,其封装形式支持高效的热管理和电气连接,同时具备出色的抗电磁干扰能力。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:42A
导通电阻:2.7mΩ
栅极电荷:180nC
输入电容:3100pF
反向恢复时间:85ns
工作温度范围:-55℃至+150℃
1. 高耐压性能,适合高压应用场景。
2. 极低的导通电阻,减少导通损耗,提高系统效率。
3. 快速开关特性,降低开关损耗,支持高频操作。
4. 优秀的热稳定性,在高温环境下仍能保持良好的性能。
5. 强大的浪涌电流承受能力,增强系统的可靠性。
6. 小型化封装设计,便于集成到紧凑型电路板中。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器的核心功率器件。
3. 电机驱动控制中的功率级组件。
4. 太阳能逆变器的功率模块。
5. 各种工业自动化设备中的电源管理系统。
6. 电动汽车充电桩等大功率应用领域。
GMC04CG910F50NTL, IRFP460, STP120N10F5