CPH3116-TL 时间：2025/9/21 13:34:59 阅读：10

CPH3116-TL是一款由Central Semiconductor Corp生产的双N沟道MOSFET器件，采用先进的沟槽型技术设计，封装形式为SOT-23（小外形晶体管封装），适用于高密度、空间受限的便携式电子设备。该器件因其低导通电阻、快速开关速度和优异的热稳定性，在电源管理、负载开关、DC-DC转换器以及信号切换等应用中表现出色。CPH3116-TL在结构上集成了两个独立的N沟道MOSFET，允许用户在单个封装内实现双路控制功能，从而节省PCB布局空间并简化电路设计。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造流程。由于其出色的电气性能和小型化封装，CPH3116-TL广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备、物联网终端以及其他对能效和尺寸有严格要求的消费类电子产品中。

参数

类型：双N沟道MOSFET
　　封装/外壳：SOT-23
　　漏源电压VDS：20V
　　栅源电压VGS：±8V
　　连续漏极电流ID（每个FET）：700mA（0.7A）
　　脉冲漏极电流IDM：2.8A
　　导通电阻RDS(on)：0.1Ω（最大值，VGS=4.5V）
　　阈值电压VGS(th)：典型值1.1V，范围0.8V～1.4V
　　输入电容Ciss：约230pF
　　输出电容Coss：约90pF
　　反向传输电容Crss：约40pF
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　功率耗散PD：350mW

特性

CPH3116-TL采用先进的沟槽型MOSFET工艺制造，具备极低的导通电阻（RDS(on)），在VGS=4.5V条件下，最大值仅为0.1Ω，这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效。尤其在电池供电的应用中，如移动设备和便携式仪器，低RDS(on)意味着更长的续航时间和更低的发热风险。同时，由于其双通道设计，两个独立的N沟道FET可以分别用于控制不同的负载或实现同步整流功能，增强了电路设计的灵活性。
　　该器件具有非常快的开关响应能力，得益于较小的栅极电荷（Qg）和低输入/输出电容，使其在高频开关应用中表现优异，例如在同步降压转换器或负载开关电路中，能够有效减少开关过程中的能量损失。此外，较低的阈值电压（VGS(th)典型值为1.1V）使得它可以在低电压逻辑信号下可靠地开启，兼容3.3V甚至1.8V的微控制器输出，无需额外的电平转换电路，进一步简化了系统设计。
　　CPH3116-TL的SOT-23封装不仅体积小巧，便于在高密度PCB上布局，而且具有良好的热传导性能，结合合理的PCB铜箔设计，可在有限的空间内有效散热。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保其在恶劣环境条件下仍能稳定运行，适用于工业级和汽车电子外围应用。此外，产品通过了严格的可靠性测试，具备优良的抗静电能力和长期稳定性，适合大批量自动化贴装生产。

应用

CPH3116-TL广泛应用于需要小型化、高效能开关解决方案的各类电子系统中。常见用途包括便携式消费电子产品中的电源路径管理与电池切换控制，例如在智能手机和平板电脑中作为主副电源之间的切换开关或外设供电的负载开关。此外，该器件也常用于DC-DC转换器中的同步整流部分，利用其低导通电阻提升转换效率，降低温升，特别适用于升压或降压模块中的低端开关角色。
　　在信号路由和多路复用场景中，CPH3116-TL可用于模拟或数字信号的选择与隔离，凭借其低导通电阻和快速响应时间，能够保证信号完整性。它也被广泛应用于LED驱动电路中，作为恒流源的通断控制元件，实现精确的亮度调节。其他典型应用场景还包括USB端口的电源控制、传感器模块的上电管理、可穿戴设备的节能模式切换以及IoT节点中的低功耗唤醒机制等。由于其符合RoHS标准且支持无铅回流焊工艺，因此非常适合现代环保型电子产品的大规模生产需求。