时间：2025/7/18 9:14:58
阅读：4
GRT0335C1HR30WA02D 是一款由 Griffin Technology 推出的高性能功率 MOSFET 芯片，专为高频开关应用设计。该芯片采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，能够显著降低导通电阻和开关损耗，从而提高效率并减少发热。它适用于各种电源管理场景，包括 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器、电机驱动等。此外，其封装形式紧凑，便于在高密度电路板上使用。
型号：GRT0335C1HR30WA02D
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压 VDS：60V
最大栅极驱动电压 VGS：±20V
连续漏极电流 ID：35A
导通电阻 RDS(on)：3mΩ（典型值）
总功耗 PD：84W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263-3
GRT0335C1HR30WA02D 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (RDS(on))，可有效降低传导损耗。
2. 快速开关性能，适合高频应用环境。
3. 高雪崩击穿能量，确保在异常条件下具备良好的耐用性。
4. 栅极电荷小，有助于提高开关效率。
5. 紧凑型封装设计，节省 PCB 布局空间。
6. 支持高温运行，适应恶劣的工作环境。
7. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 适配器。
2. 各类 DC-DC 转换器模块。
3. 电机驱动与控制电路。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的保护电路。
5. 逆变器及 UPS 不间断电源系统。
6. 工业自动化设备中的负载切换功能。
7. LED 驱动电路以及其他高效能电力电子装置。
IRFZ44N, FDP5580, AO3400
