时间：2025/4/29 14:50:32
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TF070N06NG 是一款 N 沣道通态场效应晶体管（MOSFET），属于沟槽型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，非常适合用于各种高效能的功率转换应用。
这款 MOSFET 通常被设计用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景。其优异的电气特性和可靠性使其成为众多工程师在功率电路设计中的首选。
型号：TF070N06NG
类型：N 沟道 MOSFET
Vds（漏源极电压）：60V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：7mΩ
Id（连续漏极电流）：70A
Vgs(th)（栅极阈值电压）：2.5V
Qg（总栅极电荷）：41nC
EAS（雪崩能量）：3.5mJ
封装：TO-247
TF070N06NG 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可以有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高电流处理能力 (70A)，能够支持大功率应用场景。
3. 快速开关性能，有助于减少开关损耗并提升高频应用的效能。
4. 较低的栅极电荷 (Qg) 使得驱动功耗更低，适合高速开关。
5. 稳定的动态性能和抗雪崩能力，增强了器件在恶劣条件下的可靠性和耐用性。
6. TO-247 封装形式提供了良好的散热性能，便于在高功率密度环境中使用。
TF070N06NG 广泛应用于多种电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中作为主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中用于降压或升压操作。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 各种工业设备中的负载开关和保护电路。
5. 太阳能逆变器和储能系统中的功率管理模块。
6. 电动汽车及充电桩相关的大功率转换装置。
IRFB4110,
STP70NF06,
FDP780L,
IXYS IXFN70N06T2
