时间：2025/7/1 16:54:46
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GRT0335C1H100GA02D是一款高性能的功率MOSFET芯片，专为高频开关和高效能电源管理应用而设计。该芯片采用先进的沟槽式结构和场效应晶体管技术，能够显著降低导通电阻并提高开关效率。其主要用途包括开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效率和低损耗的应用场景。
这款MOSFET具备优秀的热性能和电气稳定性，适用于要求严格的工作环境。同时，它具有极低的栅极电荷和输出电荷，从而优化了动态性能和开关速度。
型号：GRT0335C1H100GA02D
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：60V
最大连续漏极电流(Id)：100A
最大栅源电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总栅极电荷(Qg)：75nC
开关频率：高达1MHz
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55°C至+175°C
1. 极低的导通电阻Rds(on)，可有效减少传导损耗。
2. 高额定电流能力，支持大功率应用场景。
3. 快速开关速度，适合高频电路设计。
4. 良好的热稳定性，确保在高温环境下仍能可靠运行。
5. 具备静电防护功能，提高了器件的耐用性和抗符合RoHS标准，环保无铅工艺。
7. 可靠的封装设计，便于散热和安装。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. 电机驱动电路中的功率开关。
3. DC-DC转换器的核心功率级组件。
4. 太阳能逆变器和其他新能源系统的功率模块。
5. 工业自动化设备中的负载控制。
6. 汽车电子系统中的高可靠性功率器件。
7. 各种需要高效能量转换和低功耗的电路中。
GRT0335C1H100FA02D, GRT0335C1H80GA02D
