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GRT0335C1H100GA02D 发布时间 时间:2025/7/1 16:54:46 查看 阅读:6

GRT0335C1H100GA02D是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高频开关和高效能电源管理应用而设计。该芯片采用先进的沟槽式结构和场效应晶体管技术,能够显著降低导通电阻并提高开关效率。其主要用途包括开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效率和低损耗的应用场景。
  这款MOSFET具备优秀的热性能和电气稳定性,适用于要求严格的工作环境。同时,它具有极低的栅极电荷和输出电荷,从而优化了动态性能和开关速度。

参数

型号:GRT0335C1H100GA02D
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vdss):60V
  最大连续漏极电流(Id):100A
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总栅极电荷(Qg):75nC
  开关频率:高达1MHz
  封装形式:TO-247
  工作温度范围:-55°C至+175°C

特性

1. 极低的导通电阻Rds(on),可有效减少传导损耗。
  2. 高额定电流能力,支持大功率应用场景。
  3. 快速开关速度,适合高频电路设计。
  4. 良好的热稳定性,确保在高温环境下仍能可靠运行。
  5. 具备静电防护功能,提高了器件的耐用性和抗符合RoHS标准,环保无铅工艺。
  7. 可靠的封装设计,便于散热和安装。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
  2. 电机驱动电路中的功率开关。
  3. DC-DC转换器的核心功率级组件。
  4. 太阳能逆变器和其他新能源系统的功率模块。
  5. 工业自动化设备中的负载控制。
  6. 汽车电子系统中的高可靠性功率器件。
  7. 各种需要高效能量转换和低功耗的电路中。

替代型号

GRT0335C1H100FA02D, GRT0335C1H80GA02D

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