MJD122-1 时间：2025/7/23 15:59:42 阅读：7

MJD122-1 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 NPN 型达林顿晶体管（Darlington Transistor），主要用于高增益、高电流放大应用。该器件采用 TO-92 封装，具有高电流容量和良好的热稳定性，适用于开关和放大电路。MJD122-1 的设计使其在低基极电流下也能提供较高的集电极电流，因此在需要高增益放大的应用中非常受欢迎。

参数

晶体管类型：NPN 达林顿晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：200 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大基极-发射极电压（Veb）：5 V
　　最大耗散功率（Pd）：625 mW
　　电流增益（hFE）：最高可达 80000（在 Ic=2 mA, Vce=5 V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

MJD122-1 晶体管具有多个显著特性，适用于各种高增益和中等功率应用。首先，其达林顿结构由两个晶体管级联组成，使得整体电流增益（hFE）显著提高，最高可达 80000，这意味着即使在非常小的基极电流下，也能驱动较大的集电极电流。这一特性使得 MJD122-1 非常适合用于需要高灵敏度的开关电路和传感器接口电路。
　　其次，MJD122-1 的最大集电极电流为 200 mA，最大集电极-发射极电压为 30 V，使其能够承受中等功率负载，适用于继电器驱动、LED 显示驱动、音频放大器等应用。此外，该晶体管具有良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内（-55°C 至 +150°C）稳定工作，适用于工业级和汽车电子系统。
　　再者，该器件采用 TO-92 封装，体积小巧，便于在各种 PCB 设计中使用。其最大功耗为 625 mW，支持较长时间的连续工作而不会出现明显的过热问题。同时，MJD122-1 的基极-发射极电压最大为 5 V，需注意在设计驱动电路时避免超过此值，以免损坏晶体管。
　　最后，MJD122-1 具有较高的可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子、通信设备等领域。其高增益特性使其成为低电平信号放大的理想选择，同时也可作为开关元件用于驱动继电器、电机、LED 等负载。

应用

MJD122-1 主要用于需要高增益放大的电路中，如音频放大器的前置放大级、传感器信号放大器、继电器和电机驱动电路、LED 显示驱动器、电源开关控制电路等。此外，该晶体管也常用于低功率电子设备中的信号处理和开关控制，如玩具、遥控器、电子乐器、报警系统等。由于其良好的热稳定性和宽工作温度范围，MJD122-1 也适用于工业自动化控制系统和汽车电子模块。