IPW65R065C7是英飞凌(Infineon)推出的一款高性能MOSFET功率晶体管,采用TO-247封装形式。该器件属于OptiMOS系列,专门针对高效率和高可靠性应用设计。其额定电压为650V,导通电阻低至65mΩ(典型值),非常适合用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及逆变器等电力电子领域。
IPW65R065C7的主要特点包括极低的导通电阻、出色的热性能、快速开关速度以及增强的鲁棒性,使其在各种工业和汽车应用中表现出色。
型号:IPW65R065C7
类型:N沟道MOSFET
封装:TO-247
额定电压:650V
导通电阻(典型值):65mΩ
最大漏极电流(ID):18A
栅极电荷(Qg):39nC
反向恢复时间(trr):85ns
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
IPW65R065C7采用了先进的制程技术,具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,能够有效降低传导损耗,提升系统效率。
2. 快速的开关速度,支持高频应用,减少开关损耗。
3. 出色的热性能,确保器件在高温环境下的稳定性。
4. 增强的雪崩能力和短路耐受能力,提高系统的 符合RoHS标准,绿色环保。
这些特性使IPW65R065C7成为多种高效能电力电子应用的理想选择。
IPW65R065C7广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. 电机驱动
3. 工业逆变器
4. DC-DC转换器
5. 太阳能逆变器
6. 不间断电源(UPS)
7. 汽车电子中的各类驱动与控制电路
由于其出色的电气特性和可靠性,该器件在工业自动化设备、家电、通信设备等领域也得到了广泛应用。
IPP60R090C7
IPP65R150PFD
IRFP460
FDP18N65B