STB50NE10L 时间：2025/7/23 3:08:43 阅读：12

STB50NE10L是一款N沟道增强型功率MOSFET，由意法半导体（STMicroelectronics）制造。这款晶体管设计用于高电流和高电压应用，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点。STB50NE10L广泛应用于电机控制、电源管理、电池充电器、DC-DC转换器以及其他需要高效能功率开关的电子设备中。该器件采用TO-220AB封装，具备良好的散热性能，适合在高功率密度设计中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大漏极电流（Id）：50A
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.016Ω（典型值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V
　　最大功耗（Ptot）：125W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：TO-220AB

特性

STB50NE10L的主要特性之一是其极低的导通电阻，这使得器件在高电流条件下能够保持较低的导通损耗，从而提高系统的整体效率。该MOSFET采用先进的制造工艺，确保了良好的热管理和高可靠性。此外，STB50NE10L具有快速的开关特性，能够在高频开关应用中保持良好的性能，减少开关损耗。
　　该器件还具有较高的雪崩能量承受能力，能够在过载或短路条件下提供一定的保护功能。STB50NE10L的栅极驱动电压范围较宽，通常在10V至20V之间工作，适用于多种驱动电路设计。
　　在封装方面，TO-220AB封装提供了良好的散热性能，适合高功率密度应用。此外，STB50NE10L符合RoHS环保标准，适合用于现代环保电子产品设计。

应用

STB50NE10L被广泛应用于各种功率电子系统中，如DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统、电源供应器、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和工业自动化控制系统等。由于其高电流处理能力和低导通电阻，该器件特别适合用于需要高效率和高可靠性的场合。例如，在电动车和电动工具中，STB50NE10L可以用于控制电机的运行；在电源管理系统中，它可用于实现高效的能量转换和分配。