GRM1885C1H4R3CA01D 是由村田制作所(Murata)生产的一款多层陶瓷电容器(MLCC),属于 C0G(NP0)介质类型。该型号具有高稳定性和低ESR特性,适合用于高频滤波、耦合、去耦等场景。其封装尺寸为 1808 (公制),即 1.8mm x 0.8mm,适用于紧凑型电路设计。
容值:4.3pF
额定电压:50V
公差:±0.25pF
工作温度范围:-55°C 到 +125°C
封装类型:表面贴装 (SMD)
介质材料:C0G (NP0)
直流偏置特性:极低影响
频率特性:在高频下保持稳定
GRM1885C1H4R3CA01D 具有出色的温度稳定性和时间稳定性,其 C0G 介质确保了电容量在宽温度范围内变化非常小。此外,该型号的直流偏置特性对电容量的影响几乎可以忽略不计,非常适合需要高精度和稳定性的应用。
由于采用了多层陶瓷技术,该电容器具有较低的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),能够在高频环境下提供优异的性能。
此外,其小型化设计使其成为现代电子设备的理想选择,尤其是在空间受限的应用中。
GRM1885C1H4R3CA01D 广泛应用于射频(RF)电路、无线通信模块、滤波器设计、时钟振荡电路、高频信号处理以及各种需要高性能电容器的场合。它也常用于电源管理中的噪声抑制和信号调理领域。
其高稳定性使得它特别适合于医疗设备、航空航天、工业自动化以及其他要求苛刻的环境中。
GRM1885C1H4R3CF01D
GRM1885C1H4R3CE01D