时间：2025/6/6 9:25:18
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GRJ31BR72E153KWJ1L 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高效率、高频率开关应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于电源管理、电机驱动和工业自动化等领域。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型，其封装形式通常为行业标准的小型表面贴装类型，有助于提高 PCB 布局的灵活性并减少整体系统尺寸。
最大漏源电压：700V
连续漏极电流：15A
导通电阻（典型值）：0.18Ω
栅极电荷（典型值）：45nC
开关损耗：低
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 极低的导通电阻确保了高效率的能量转换。
2. 快速的开关速度降低了开关损耗，适合高频应用。
3. 高耐压能力使其能够在严苛的电气环境中稳定运行。
4. 内置静电防护功能提升了器件的可靠性。
5. 小型化封装支持紧凑型设计，同时提高了散热性能。
6. 宽工作温度范围适应各种极端环境下的使用需求。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. DC-DC 转换器和逆变器的核心功率元件。
3. 电机驱动电路中的功率控制单元。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率调节模块。
6. 各种需要高效功率管理的电子设备中作为关键功率组件。
IRF740,
STP15NF70,
FDP15N70,
IXFN70N15P
