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GRJ31BR72E153KWJ1L 发布时间 时间:2025/6/6 9:25:18 查看 阅读:5

GRJ31BR72E153KWJ1L 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率、高频率开关应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于电源管理、电机驱动和工业自动化等领域。
  这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型,其封装形式通常为行业标准的小型表面贴装类型,有助于提高 PCB 布局的灵活性并减少整体系统尺寸。

参数

最大漏源电压:700V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻(典型值):0.18Ω
  栅极电荷(典型值):45nC
  开关损耗:低
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

1. 极低的导通电阻确保了高效率的能量转换。
  2. 快速的开关速度降低了开关损耗,适合高频应用。
  3. 高耐压能力使其能够在严苛的电气环境中稳定运行。
  4. 内置静电防护功能提升了器件的可靠性。
  5. 小型化封装支持紧凑型设计,同时提高了散热性能。
  6. 宽工作温度范围适应各种极端环境下的使用需求。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. DC-DC 转换器和逆变器的核心功率元件。
  3. 电机驱动电路中的功率控制单元。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率调节模块。
  6. 各种需要高效功率管理的电子设备中作为关键功率组件。

替代型号

IRF740,
  STP15NF70,
  FDP15N70,
  IXFN70N15P

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GRJ31BR72E153KWJ1L参数

  • 制造商Murata
  • 电容0.015 uF
  • 容差10 %
  • 电压额定值250 Volts
  • 温度系数/代码X7R
  • 外壳代码 - in1206
  • 外壳代码 - mm3216
  • 工作温度范围- 55 C to + 125 C
  • 产品General Type MLCCs
  • 封装Reel
  • Capacitance - nF15 nF
  • Capacitance - pF15000 pF
  • 尺寸1.6 mm W x 3.2 mm L x 1.25 mm H
  • 封装 / 箱体1206 (3216 metric)
  • 系列GRJ
  • 工厂包装数量3000
  • 端接类型SMD/SMT