类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：3.0A（@25°C）
　　功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω（最大值）
　　栅极电荷（Qg）：24nC
　　输入电容（Ciss）：800pF
　　封装类型：TO-220AB

C503B-BCS MOSFET 具备多项优异特性，使其适用于各种高功率和高频应用环境。其漏源电压高达 500V，能够承受较高的电压应力，适用于高压电源转换系统。导通电阻 Rds(on) 最大值为 1.2Ω，这有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件的栅极电荷 Qg 为 24nC，输入电容 Ciss 为 800pF，使其具备较快的开关速度，适用于高频开关电路，减少开关损耗。
　　该 MOSFET 的 TO-220AB 封装设计有助于良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计。器件的工作温度范围宽达 -55°C 至 +150°C，适用于工业级和高可靠性应用环境。此外，C503B-BCS 的栅源电压最大值为 ±20V，具备较好的栅极保护能力，防止因过电压导致的损坏。
　　这款 MOSFET 还具备较高的耐用性和稳定性，在高电流和高电压条件下依然保持出色的性能。其低导通电阻和快速开关特性使得它在电源转换器、电机控制和电源管理系统中表现优异，是工程师在设计高效率、高可靠性的电源系统时的理想选择。

C503B-BCS 主要用于各种高功率和高频电源应用，包括但不限于：DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、开关电源（SMPS）、电机驱动电路、UPS（不间断电源）系统、太阳能逆变器、LED 驱动器以及工业控制设备。由于其具备较高的电压和电流承受能力，适合用于需要高压隔离和高效能转换的场合。
　　在电机控制应用中，C503B-BCS 可用于 H 桥结构中的高边或低边开关，提供快速的开关响应和较低的导通损耗。在 LED 驱动器中，该器件能够有效支持恒流输出和调光控制。此外，该 MOSFET 也适用于消费类电子产品中的电源管理模块，例如电视、音响系统、智能家电等。
　　由于其良好的热性能和稳定的工作特性，C503B-BCS 也被广泛用于工业自动化系统中的电源模块和控制电路。在通信设备中，该器件可用于电源转换模块，确保设备在高负载下仍能稳定运行。

IRF840, FDPF840, STP5NK50Z, 2SK2647