封装类型：MSOP-8
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　供电电压范围：4.5V 至 36V
　　栅极驱动电压：5V（典型）
　　最大峰值驱动电流：350mA（典型）
　　传播延迟：65ns（典型）
　　输入逻辑类型：TTL/CMOS 兼容
　　高边驱动能力：支持高侧 N 沟道 MOSFET
　　低边驱动能力：支持低侧 N 沟道 MOSFET

LTC4727HGK1 的核心特性包括其集成电荷泵电路，能够在高侧 MOSFET 导通期间维持足够的栅极驱动电压，从而确保 MOSFET 完全导通并降低导通损耗。
　　该器件具有宽输入电压范围（4.5V 至 36V），适用于多种电源架构，包括 Boost、Buck、Flyback 和 Forward 转换器等拓扑结构。
　　LTC4727HGK1 提供两个独立的驱动通道，分别用于控制高边和低边的 N 沟道 MOSFET，支持同步整流应用中的高效驱动。
　　其传播延迟时间仅为 65ns，有助于提升开关速度并减少开关损耗，适用于高频开关应用。
　　此外，该驱动器的输入逻辑兼容 TTL 和 CMOS 电平，便于与控制器或 PWM 信号源连接。
　　内部还集成了欠压锁定（UVLO）保护功能，当供电电压低于安全阈值时自动关闭 MOSFET，防止器件损坏。
　　采用小型 8 引脚 MSOP 封装，节省 PCB 空间，适合高密度设计。
　　整体设计具备高可靠性，适用于工业自动化、通信设备、服务器电源和电动汽车等高要求应用场景。

LTC4727HGK1 广泛应用于各种需要高边和低边 N 沟道 MOSFET 驱动的场合，例如同步整流 DC-DC 转换器、隔离式电源转换器、负载开关控制、电机驱动电路以及工业电源管理系统。
　　在 Boost 和 Buck 转换器中，该器件能够高效驱动上下桥臂的 MOSFET，提升系统效率。
　　在同步整流反激式电源中，LTC4727HGK1 可以替代传统的同步整流 IC，提高输出功率并降低损耗。
　　此外，该器件也适用于电信设备、测试仪器和自动化控制系统中的电源管理模块。

LT1910, ADP3624, IRS2104, MIC5021