产品类型：肖特基势垒二极管
　　通道数：单通道
　　封装/外壳：SOD-323
　　安装类型：表面贴装
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流阻断电压（VR）：30V
　　峰值脉冲电流（IFSM）：500mA
　　最大正向连续电流（IF）：200mA
　　最大正向电压（VF）：450mV @ 10mA
　　最大反向漏电流（IR）：1μA @ 25°C
　　反向恢复时间（trr）：< 1ns
　　工作结温范围：-65°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C

FW113-TL-E的核心特性之一是其采用的肖特基势垒结构，这种金属-半导体接触机制显著降低了正向导通压降，典型值仅为450mV，在10mA工作电流下即可实现高效导通，从而减少功耗并提升系统能效。这对于电池供电设备尤为重要，能够延长续航时间。此外，低VF特性还能降低热损耗，避免局部过热问题，提高整体系统的稳定性。
　　另一个关键特性是其超快的开关能力。该器件的反向恢复时间（trr）小于1纳秒，几乎可以忽略不计，这使得它在高频开关电路中表现出色，例如在开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和高频整流应用中能有效减少开关损耗，提升转换效率。相较于传统的PN结二极管，FW113-TL-E在高频环境下具有更优的动态响应性能。
　　该器件采用SOD-323小型表面贴装封装，尺寸紧凑（约1.7mm x 1.25mm x 1.0mm），非常适合空间受限的高密度印刷电路板设计。同时，该封装具有良好的热传导性能和机械强度，支持自动化贴片生产，兼容回流焊和波峰焊工艺，满足现代SMT生产线的需求。
　　FW113-TL-E还具备优良的温度稳定性，可在-65°C至+125°C的结温范围内稳定工作，适用于各种严苛环境下的应用。其反向漏电流在常温下仅为1μA，确保在关断状态下具有良好的阻断性能，减少不必要的静态功耗。此外，该器件通过了多项国际认证，符合RoHS指令，不含铅、镉等有害物质，支持绿色环保制造流程。

FW113-TL-E广泛应用于多种电子系统中，尤其适合对效率、体积和响应速度有较高要求的场合。在便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，常用于电源路径管理、电池充放电保护和电压箝位电路，利用其低正向压降和快速响应特性来优化能效表现。
　　在电源管理系统中，该二极管可用于DC-DC转换器中的续流或整流元件，特别是在升压（Boost）和降压（Buck）拓扑中作为同步整流的辅助器件，有助于提升转换效率并降低发热。此外，在低压差线性稳压器（LDO）的输出端，FW113-TL-E可用作防倒灌二极管，防止负载端反向馈电损坏主控芯片。
　　在通信接口电路中，FW113-TL-E可用于ESD保护和信号整形，凭借其快速响应能力抑制瞬态电压干扰，保护敏感的数字逻辑电路。它也常见于信号解调电路、采样保持电路以及高频检波应用中，因其非线性伏安特性可实现精确的信号处理功能。
　　工业控制和汽车电子领域同样适用该器件，例如在传感器信号调理模块、微控制器I/O保护、继电器驱动电路的反电动势吸收等场景中发挥重要作用。由于其高可靠性和宽温工作范围，FW113-TL-E能够在复杂电磁环境和温度波动较大的条件下保持稳定运行。

MBR0140T1G
　　PMMS2806,115
　　BAS70-04W