PMN30XPEX 时间：2025/9/14 3:12:34 阅读：38

PMN30XPEX 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的沟槽栅极和电荷平衡技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高开关性能，适用于DC-DC转换器、电池管理系统、电机控制以及各种高功率密度设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大漏极电流(Id)：120A（在25°C下）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为4.7mΩ（在Vgs=10V时）
　　最大栅极电压(Vgs)：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6
　　功率耗散(Pd)：120W

特性

PMN30XPEX 具备多项先进的电气和热性能特性。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高整体系统效率，这对于需要高能效的电源转换器尤为重要。其次，该器件采用了先进的PowerFLAT封装技术，具有良好的热管理和散热性能，能够适应高功率密度设计的需求。此外，PMN30XPEX 的栅极设计优化了开关性能，减少了开关损耗，从而提高了器件在高频应用中的表现。该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，可在严苛的工作环境下保持稳定运行。其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +175°C）也使其适用于极端温度条件下的工业和汽车应用。
　　该器件的封装形式为PowerFLAT 5x6，具有较小的封装尺寸，适用于空间受限的设计。此外，PMN30XPEX 的栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种栅极驱动电路，提升了其在不同应用中的适用性。综合来看，PMN30XPEX 是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于对效率和热管理有高要求的现代电子系统。

应用

PMN30XPEX 适用于多种高功率和高效率的电子系统设计。其主要应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、负载开关以及工业自动化控制系统。在汽车电子领域，该器件可应用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）以及电池供电的车载设备。由于其优异的导通和开关性能，PMN30XPEX 也广泛用于服务器电源、通信设备电源模块以及高效能计算设备的电源管理系统。此外，在消费类电子产品中，该MOSFET可用于高性能电源适配器和智能功率插座等应用。