您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > PMN30XPEX

PMN30XPEX 发布时间 时间:2025/9/14 3:12:34 查看 阅读:26

PMN30XPEX 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)制造的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的沟槽栅极和电荷平衡技术,具备低导通电阻(Rds(on))和高开关性能,适用于DC-DC转换器、电池管理系统、电机控制以及各种高功率密度设计。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):30V
  最大漏极电流(Id):120A(在25°C下)
  导通电阻(Rds(on)):典型值为4.7mΩ(在Vgs=10V时)
  最大栅极电压(Vgs):±20V
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:PowerFLAT 5x6
  功率耗散(Pd):120W

特性

PMN30XPEX 具备多项先进的电气和热性能特性。首先,其极低的导通电阻(Rds(on))可显著降低导通损耗,提高整体系统效率,这对于需要高能效的电源转换器尤为重要。其次,该器件采用了先进的PowerFLAT封装技术,具有良好的热管理和散热性能,能够适应高功率密度设计的需求。此外,PMN30XPEX 的栅极设计优化了开关性能,减少了开关损耗,从而提高了器件在高频应用中的表现。该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性,可在严苛的工作环境下保持稳定运行。其宽泛的工作温度范围(-55°C 至 +175°C)也使其适用于极端温度条件下的工业和汽车应用。
  该器件的封装形式为PowerFLAT 5x6,具有较小的封装尺寸,适用于空间受限的设计。此外,PMN30XPEX 的栅极驱动电压范围较宽(±20V),兼容多种栅极驱动电路,提升了其在不同应用中的适用性。综合来看,PMN30XPEX 是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET,适用于对效率和热管理有高要求的现代电子系统。

应用

PMN30XPEX 适用于多种高功率和高效率的电子系统设计。其主要应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统(BMS)、电机驱动器、负载开关以及工业自动化控制系统。在汽车电子领域,该器件可应用于车载充电系统、电动助力转向系统(EPS)以及电池供电的车载设备。由于其优异的导通和开关性能,PMN30XPEX 也广泛用于服务器电源、通信设备电源模块以及高效能计算设备的电源管理系统。此外,在消费类电子产品中,该MOSFET可用于高性能电源适配器和智能功率插座等应用。

替代型号

IPD90N03C, FDBL0150N03, SiR142DP

PMN30XPEX推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

PMN30XPEX参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥4.13000剪切带(CT)3,000 : ¥1.17073卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5.3A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)34毫欧 @ 5.3A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.25V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)17 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1465 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)560mW(Ta),6.25W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装6-TSOP
  • 封装/外壳SC-74,SOT-457