时间：2025/7/4 4:43:21
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GR443QR73D182KW01K 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）芯片，属于沟道型功率 MOSFET 系列。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，广泛适用于各种高效能电源转换和电机驱动应用。其封装形式为 TO-263（DPAK），能够有效提高散热效率并支持大电流操作。
该型号主要面向工业及汽车电子领域，具备高可靠性与耐用性，能够在严苛的工作环境下稳定运行。
最大漏源电压：55V
连续漏极电流：120A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：85nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-263
GR443QR73D182KW01K 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可降低功耗并提升系统效率。
2. 高额定电流能力，支持高达 120A 的连续漏极电流，适合高功率应用场景。
3. 快速开关特性，减少开关损耗，优化高频工作表现。
4. 优秀的热性能，确保在高温条件下仍能保持稳定运行。
5. 增强的静电放电 (ESD) 防护设计，提高了器件的抗干扰能力。
6. 符合 AEC-Q101 标准，专为汽车级应用而设计，具备卓越的可靠性和耐久性。
7. 小巧的 DPAK 封装，节省 PCB 空间的同时保证了良好的散热性能。
该型号的 MOSFET 芯片被广泛应用于以下领域：
1. 汽车电子系统中的 DC-DC 转换器和逆变器。
2. 工业设备中的电机驱动与控制电路。
3. 开关电源 (SMPS) 和不间断电源 (UPS) 系统。
4. LED 照明驱动电路。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关产品。
6. 高效功率模块设计，如用于电动汽车或混合动力汽车的动力总成系统。
由于其强大的电流处理能力和高效的能源转换特性，GR443QR73D182KW01K 成为了许多高要求应用的理想选择。
GR443QR73D182KW02K, IRF2807ZPBF
