时间：2025/8/2 5:28:20
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SIA467EDJ-T1-GE3 是一款由 Vishay Semiconductors 推出的 P 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的 TrenchFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高功率密度，适用于各种电源管理应用，如负载开关、电源转换器和电池管理系统。该 MOSFET 采用 8-PowerPAK SO 封装，具有良好的热性能和空间效率，适用于高密度 PCB 设计。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：-15A
导通电阻(Rds(on))：24mΩ @ Vgs = 10V
导通电阻(Rds(on))：32mΩ @ Vgs = 4.5V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：8-PowerPAK SO
SIA467EDJ-T1-GE3 具有多个关键特性，使其在电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻显著减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。在 Vgs = 10V 时，Rds(on) 仅为 24mΩ，在 Vgs = 4.5V 时为 32mΩ，这使得它在不同驱动条件下都能保持良好的性能。
其次，该 MOSFET 支持高达 ±20V 的栅源电压，使其在高电压驱动条件下仍能保持稳定运行，同时具备较强的抗电压尖峰能力。此外，该器件采用 Vishay 的 TrenchFET 技术，优化了芯片结构，提升了单位面积的电流承载能力，从而实现了更高的功率密度。
该 MOSFET 的封装形式为 8-PowerPAK SO，具备优异的热管理能力，适合高功率密度设计。其封装结构还提供了良好的机械稳定性，适用于工业级工作温度范围（-55°C 至 150°C），确保在恶劣环境下仍能稳定工作。
此外，SIA467EDJ-T1-GE3 还具有快速开关特性，减少了开关损耗，提高了系统的动态响应能力。其低栅极电荷（Qg）和漏源电荷（Qds）使其在高频开关应用中表现优异，适用于 DC-DC 转换器、同步整流器等高频应用。
最后，该器件符合 RoHS 环保标准，适用于现代电子制造中对环保材料的要求。
SIA467EDJ-T1-GE3 主要应用于需要高效功率控制的电子系统中。它常用于 DC-DC 转换器和负载开关电路，作为高效率的功率开关元件。在笔记本电脑、服务器和通信设备的电源管理系统中，该 MOSFET 可用于主电源开关、电池充电控制和负载管理。
此外，该器件也广泛用于工业自动化设备和电机控制电路中，作为高效率的功率开关，用于控制电机、继电器和其他高功率负载。在电池管理系统（BMS）中，它可以用于充放电控制和过流保护，确保电池组的安全运行。
由于其高可靠性和优异的热性能，SIA467EDJ-T1-GE3 也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电池管理系统（BMS）等，满足汽车电子对高温和高可靠性要求的应用场景。
Si447EDC-T1-GE3, IR467PBF, FDC640P, NVTFS5C471NL, BUK9615-30PC
