GR442QR73D102KW01# 是ROHM(罗姆)半导体公司生产的一款功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高功率应用而设计,具有良好的导通性能和热稳定性,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制等多种工业和消费类电子设备中。作为一款N沟道增强型MOSFET,GR442QR73D102KW01# 提供了高效能的开关特性,能够在较高的频率下工作,从而减小外部滤波元件的尺寸并提高系统效率。该器件采用了标准的表面贴装封装形式,便于在PCB板上安装和焊接。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):20V
连续漏极电流(Id):120A
导通电阻(Rds(on)):5.2mΩ(典型值)
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-252(DPAK)
功耗(Pd):100W
GR442QR73D102KW01# 是一款高性能的功率MOSFET,其主要特性包括低导通电阻、高电流能力和优异的热管理性能。该器件的低Rds(on)特性使得在导通状态下功耗较低,从而提高了整体系统的能效。此外,该MOSFET具有良好的热稳定性,能够在高温环境下可靠运行,适用于高功率密度设计。
该器件的栅极驱动电压范围较宽,支持常见的逻辑电平驱动,从而简化了驱动电路的设计。GR442QR73D102KW01# 还具有快速开关能力,适合高频应用,如开关电源(SMPS)和DC-DC转换器。由于其高电流容量和低导通损耗,该MOSFET在电机控制、负载开关和电源管理领域具有广泛的应用前景。
此外,该MOSFET具有良好的短路耐受能力和过载保护功能,能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行。其TO-252封装形式不仅具有良好的散热性能,还便于在PCB上安装和维护,适合大规模生产。
GR442QR73D102KW01# 广泛应用于各类电力电子系统中,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池管理系统、电机控制、负载开关、电源管理模块以及工业自动化设备。该器件的高电流能力和低导通电阻使其成为高效能电源管理方案的理想选择,特别适合对效率和热管理有较高要求的应用场景。
SiHF120N30EF, FDP120N30F