时间：2025/6/27 14:01:59
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PTVSHC1DF70VU 是一款基于硅技术的高压、高速瞬态电压抑制（TVS）二极管。该器件专为保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和其他过压瞬态影响而设计。它具有低电容特性，适合高速数据线和射频应用。其单向极性使其适用于直流电路保护。
最大反向工作电压：70V
击穿电压：75.8V
峰值脉冲电流：93A
箝位电压：126V
结电容：4pF
响应时间：1ps
最大反向漏电流：1μA
封装类型：DO-214AC(SMC)
PTVSHC1DF70VU 具有以下关键特性：
1. 极快的响应时间（1皮秒），可以迅速抑制瞬态电压威胁。
2. 高浪涌承受能力（高达93A峰值脉冲电流），确保在恶劣环境下的可靠性。
3. 低结电容（4pF），非常适合高速信号线路和高频应用。
4. 精确的电压箝位功能，有效保护下游电路免受过压损害。
5. 符合RoHS标准，采用环保材料制造。
6. 小型化封装（DO-214AC/SMC），便于表面贴装和高密度设计。
这款 TVS 二极管广泛应用于各种需要过压保护的场景中，包括但不限于：
1. 汽车电子系统中的电源总线保护。
2. 工业自动化设备的信号线保护。
3. 数据通信接口（如 RS-232、RS-485 和 USB）的 ESD 和 EFT 抑制。
4. 射频模块和无线通信设备的前端保护。
5. 医疗设备和消费类电子产品中的敏感电路保护。
PESD7V5B1BT, SMAJ75A, SMBJ75A
