GQM2195C2E111GB12D是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、开关电路和电机驱动等领域。该芯片采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特性,能够显著提高系统的效率和可靠性。
这款器件属于N沟道增强型MOSFET,其设计特别适合于要求高效率和低损耗的应用场景,例如DC-DC转换器、负载开关和逆变器等。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:47A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:110nC
总电容:3800pF
工作温度范围:-55℃至175℃
封装形式:TO-247
GQM2195C2E111GB12D具有以下关键特性:
1. 极低的导通电阻,能够有效降低功耗并提升系统效率。
2. 高额定电流能力,支持大功率应用。
3. 优秀的热性能,能够在高温环境下稳定运行。
4. 快速开关速度,减少开关损耗。
5. 强大的抗静电能力(ESD),提高了产品的可靠性。
6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
该芯片适用于多种工业和消费类电子设备中的功率转换与控制:
1. 开关模式电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动电路
4. 电池管理系统(BMS)
5. 负载开关
6. 逆变器及UPS系统
7. 汽车电子中的动力总成控制单元
GQM2195C2E111GB12C, IRFZ44N, FDP5570