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GQM2195C2E111GB12D 发布时间 时间:2025/7/4 20:07:30 查看 阅读:12

GQM2195C2E111GB12D是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、开关电路和电机驱动等领域。该芯片采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特性,能够显著提高系统的效率和可靠性。
  这款器件属于N沟道增强型MOSFET,其设计特别适合于要求高效率和低损耗的应用场景,例如DC-DC转换器、负载开关和逆变器等。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:47A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:110nC
  总电容:3800pF
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装形式:TO-247

特性

GQM2195C2E111GB12D具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻,能够有效降低功耗并提升系统效率。
  2. 高额定电流能力,支持大功率应用。
  3. 优秀的热性能,能够在高温环境下稳定运行。
  4. 快速开关速度,减少开关损耗。
  5. 强大的抗静电能力(ESD),提高了产品的可靠性。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

该芯片适用于多种工业和消费类电子设备中的功率转换与控制:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动电路
  4. 电池管理系统(BMS)
  5. 负载开关
  6. 逆变器及UPS系统
  7. 汽车电子中的动力总成控制单元

替代型号

GQM2195C2E111GB12C, IRFZ44N, FDP5570

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GQM2195C2E111GB12D参数

  • 制造商Murata
  • 电容111 pF
  • 容差2 %
  • 电压额定值250 Volts
  • 温度系数/代码C0G (NP0)
  • 外壳代码 - in0805
  • 外壳代码 - mm2012
  • 工作温度范围- 55 C to + 125 C
  • 产品Low ESR MLCCs
  • 封装Reel
  • Capacitance - nF0.111 nF
  • 尺寸1.25 mm W x 2 mm L x 0.85 mm H
  • 封装 / 箱体0805 (2012 metric)
  • 系列GQM
  • 工厂包装数量4000
  • 端接类型SMD/SMT