存储容量：8 Mbit
　　组织方式：1M x 8位
　　封装类型：TSOP
　　工作电压：2.7V 至 3.6V
　　访问时间：90ns
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　接口类型：并行（NOR Flash）
　　读取电流（典型值）：10 mA
　　待机电流（典型值）：10 μA
　　编程/擦除电压：内部电荷泵提供
　　编程时间（典型值）：10 μs/byte
　　擦除时间（典型值）：1秒/sector
　　可靠性：100,000 次编程/擦除周期
　　数据保持时间：10 年

Intel 29F800TA-90FTN 的核心特性包括：
　　? 高性能 NOR Flash 存储器：支持快速随机访问，适用于代码执行和数据存储。
　　? 宽电压范围：可在2.7V至3.6V之间工作，适应多种电源环境。
　　? 低功耗设计：在待机模式下电流消耗极低，适合电池供电设备。
　　? 高可靠性：支持高达10万次的编程/擦除周期，确保长期使用稳定性。
　　? 数据保持能力强：在不供电的情况下可保持数据长达10年。
　　? 支持Sector Erase 和 Block Erase 功能：提供灵活的擦除方式，适应不同的存储管理需求。
　　? 内置编程和擦除算法：通过内部电荷泵提供所需的高压，简化外部电路设计。
　　? 工业级温度范围：适用于严苛环境下的工业控制系统。

29F800TA-90FTN 通常用于以下应用领域：
　　? 嵌入式系统中的固件存储（如路由器、网关、智能仪表）
　　? 工业控制设备（如PLC、HMI、传感器节点）
　　? 通信设备（如基站控制器、交换机、无线接入点）
　　? 消费类电子产品（如智能家电、电子阅读器）
　　? 医疗设备中的程序和数据存储
　　? 汽车电子系统（如车载导航、车身控制模块）
　　? 测试与测量仪器

29F800TB-90FTN, 29LV800TA-90TFI, 29LV800TB-90TFI, S29AL008J