时间：2025/9/3 7:32:43
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SC02RH031NV01 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率电源管理和功率开关应用设计。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性，适用于DC-DC转换器、电源管理模块、电机驱动器以及各类电源系统。SC02RH031NV01采用了先进的沟槽栅技术，以确保在高频率操作下的稳定性和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
漏极电流（ID）：5.3A（连续）
导通电阻（RDS(on)）：31mΩ @ VGS = 10V
栅极电荷（Qg）：13nC
封装类型：PowerFLAT 5x6
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
SC02RH031NV01具有多项优异特性，首先是其低导通电阻（RDS(on)）为31mΩ，使得在高电流下导通损耗显著降低，从而提高了整体系统效率。其次是具备较高的耐压能力，漏源电压额定值为30V，可在中等功率应用中提供足够的电压裕量。该器件的栅极电荷（Qg）为13nC，使其在高频开关应用中表现优异，减少了开关损耗。此外，采用PowerFLAT 5x6封装，具有良好的热性能和空间利用率，适用于紧凑型设计和高密度电路布局。器件还具备出色的抗雪崩能力，能够在异常工作条件下提供更高的可靠性和稳定性。
SC02RH031NV01广泛应用于各类电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机驱动器等。其低导通电阻和快速开关特性也使其适用于电池供电设备、便携式电子产品、工业自动化设备和汽车电子系统。在电动车、无人机和智能家电等领域，SC02RH031NV01可用于高效能功率控制模块，提升整体系统能效和稳定性。
STD30NF03L, NTD30N03R2, FDS6675, SiR178DP
