您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GQM1875C2E130JB12D

GQM1875C2E130JB12D 发布时间 时间:2025/7/1 21:39:46 查看 阅读:4

GQM1875C2E130JB12D是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提升系统的效率和可靠性。
  这款功率MOSFET属于N沟道增强型器件,主要适用于高压和大电流场景下的开关应用。其封装形式为行业标准的表面贴装类型,具有良好的散热性能和机械稳定性,适合自动化生产和严苛的工作环境。

参数

最大漏源电压:130V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:15nC
  开关速度:15ns
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装形式:TO-263

特性

GQM1875C2E130JB12D的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高频开关应用中降低功耗,提高整体效率。
  2. 高速开关能力,支持高频DC-DC转换器设计,满足现代电力电子设备对高效能的需求。
  3. 内置反向恢复二极管,优化了续流路径,降低了EMI干扰。
  4. 强大的热管理能力,结合高效的散热封装技术,确保在高负载条件下长期稳定运行。
  5. 宽泛的工作温度范围,适应各种极端环境下的使用需求。
  6. 通过多项国际认证,如AEC-Q101(汽车级)和RoHS(环保标准),保证产品的可靠性和环保性。

应用

该型号的功率MOSFET适用于以下典型应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件或同步整流器。
  2. 工业电机驱动器中的逆变桥臂组件。
  3. 汽车电子系统中的负载切换和电池保护电路。
  4. 高效LED驱动器中的开关器件。
  5. 太阳能微逆变器及储能系统的功率转换模块。
  GQM1875C2E130JB12D凭借其卓越的性能和可靠性,成为这些领域的理想选择。

替代型号

GQM1875C2E150JB12D, IRF840, STP16NF06L

GQM1875C2E130JB12D推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

GQM1875C2E130JB12D参数

  • 特色产品High Frequency - High Q Capacitors
  • 标准包装4,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列GQM
  • 电容13pF
  • 电压 - 额定250V
  • 容差±5%
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 尺寸/尺寸0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.031"(0.80mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-