时间：2025/7/1 18:37:58
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SH18N152F500CT是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，广泛应用于功率转换和开关电路中。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热稳定性等特性。其设计旨在满足高效能电力电子设备的需求，适用于各种工业和消费类应用领域。
这款MOSFET属于N沟道增强型类型，工作电压范围宽广，能够在高频条件下保持优异的性能表现。此外，SH18N152F500CT采用了TO-247封装形式，具备良好的散热性能，适合大功率应用场景。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：152A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：38nC
输入电容：1600pF
总功耗：360W
结温范围：-55℃ to +175℃
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高耐压能力（500V），使其能够适应多种高压环境下的应用需求。
3. 快速开关速度，确保在高频操作时仍然维持高效表现。
4. 优秀的热稳定性，即使在极端温度条件下也能保持可靠运行。
5. TO-247封装形式提供卓越的散热效果，适合高功率密度的应用场景。
6. 可靠性高，使用寿命长，适合长期运行的关键任务设备。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关元件。
2. 工业电机驱动和控制系统的功率级组件。
3. 太阳能逆变器的核心功率转换元件。
4. 电动汽车和混合动力汽车的电力管理系统。
5. 各种需要高效功率切换的工业及消费电子产品。
STP152N50DM2
IRFP250N
FDP152N50B
