时间：2025/6/16 22:47:35
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2SK238-T1B是一种高性能的N沟道MOSFET晶体管，广泛应用于功率放大器、开关电源以及音频设备等场景。它属于东芝（Toshiba）公司的产品系列，主要用作高频功率放大器件。该型号在射频和中频应用中表现优异，具有低噪声、高增益和高线性度等特点。
2SK238-T1B采用TO-39封装形式，适合表面贴装或通孔安装工艺。由于其出色的电气性能，该晶体管适用于需要高可靠性和稳定性的电路设计。
类型：N沟道MOSFET
工作电压Vds：60V
漏极电流Ids：4A
栅极阈值电压Vgs(th)：2V~4V
输入电容Ciss：125pF
导通电阻Rds(on)：0.3Ω
功耗Ptot：35W
工作温度范围：-55℃~+150℃
2SK238-T1B具备以下显著特性：
1. 高频率响应能力，支持高达300MHz的工作频率。
2. 低导通电阻（Rds(on)），能够减少功率损耗并提高效率。
3. 稳定的电气性能，在宽泛的工作温度范围内保持一致性。
4. 小型化设计，便于集成到紧凑型电路板中。
5. 高击穿电压（Vds），适用于多种高压应用场景。
6. 良好的热稳定性，确保长时间运行时的可靠性。
7. 适用于高频功率放大器设计，提供卓越的增益和线性度表现。
这些特性使得2SK238-T1B成为许多专业电子设备的理想选择。
该型号主要应用于以下领域：
1. 射频功率放大器，包括通信基站、无线发射机等。
2. 音频功率放大器，如家庭影院系统、专业音响设备。
3. 开关电源中的功率开关元件。
4. 电机驱动和控制电路。
5. 高频信号处理模块。
6. 工业自动化设备中的功率管理单元。
由于其出色的性能和稳定性，2SK238-T1B被广泛用于对性能要求较高的场合。
2SK238, 2SK238A, 2SK238B
