型号：GPM80AG
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：TO-247
　　漏源电压VDS：800V
　　连续漏极电流ID：80A
　　脉冲漏极电流IDM：320A
　　栅源电压VGS：±30V
　　导通电阻RDS(on)：max 65mΩ @ VGS=10V, ID=40A
　　栅极电荷Qg：典型值 180nC @ VDS=600V, ID=80A
　　输入电容Ciss：典型值 6500pF @ VDS=25V
　　开启延迟时间td(on)：典型值 45ns
　　关断延迟时间td(off)：典型值 95ns
　　反向恢复时间trr：典型值 120ns
　　最大结温Tj：150°C
　　耗散功率PD：max 310W @ TC=25°C

GPM80AG采用了先进的平面型场效应晶体管制造工艺，具备出色的电气性能和稳定性。其核心优势之一是低导通电阻RDS(on)，在标准测试条件下最大仅为65mΩ，这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，有助于提高电源系统的整体效率，尤其是在大电流输出的应用场景中表现突出。由于RDS(on)随温度升高而增加，器件设计时充分考虑了热管理问题，通过优化芯片布局和封装材料来增强散热能力，确保长期工作的可靠性。
　　另一个关键特性是其优异的开关性能。GPM80AG具有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这意味着在相同驱动条件下可以实现更快的开关速度，从而减小开关过程中的交叠损耗。这对于高频工作的开关电源尤为重要，例如在PFC电路或LLC谐振变换器中，能够有效降低温升并提升能效等级。同时，较低的输出电容（COSS）也有助于减少关断时的能量损耗。
　　该器件还具备较强的抗雪崩能力和鲁棒性。在非钳位电感开关（UIS）测试中表现出良好的能量耐受水平，能够在瞬态过压或负载突变情况下维持正常功能而不发生永久性损坏。这一特性使得GPM80AG适合用于电机启动、逆变器切换等存在较大电磁干扰和电压冲击的场合。此外，内置体二极管具有较快的反向恢复时间（trr约120ns），减少了反向恢复电流尖峰对主开关管的影响，提升了系统EMI性能。
　　从可靠性和安全性角度出发，GPM80AG支持高达±30V的栅源电压，具备一定的过压容忍能力，降低了因驱动异常导致击穿的风险。其150°C的最大结温允许在较宽温度范围内使用，配合合适的散热措施可满足工业级应用需求。TO-247封装不仅提供了良好的机械强度，也便于安装散热器，增强了实际应用中的灵活性和维护便利性。

GPM80AG主要应用于各类需要高电压、大电流处理能力的电力电子系统中。常见用途包括工业级开关模式电源（SMPS），特别是用于服务器电源、通信电源及大功率适配器中的主开关管或PFC升压开关。其800V的耐压能力使其非常适合接入AC 220V或更高电压的整流母线，在全桥、半桥及有源钳位反激拓扑中均有广泛应用。
　　在新能源领域，该器件可用于光伏逆变器和储能系统的DC-AC转换部分，承担能量回馈和频率调制任务。由于其具备快速开关特性和低导通损耗，有助于提升逆变效率并满足高能效标准如80 PLUS Titanium认证要求。在电动汽车充电桩中，GPM80AG也可用于辅助电源模块或预充电路中，提供稳定的电压转换功能。
　　此外，GPM80AG在电机驱动系统中同样发挥重要作用，特别是在变频家电（如空调压缩机、洗衣机驱动）和工业电机控制中作为功率开关元件。它能够承受频繁启停带来的电流冲击，并在PWM调速过程中保持高效运行。在焊接设备、UPS不间断电源和感应加热装置中，该MOSFET也能胜任高频率硬开关工况下的能量传输任务。
　　由于其高性价比和稳定的供货能力，GPM80AG也被广泛用于国产化替代项目中，替换英飞凌、ST、安森美等国际品牌的类似规格产品，如IPW60R070CFD、STW80NK80Z、FQP80N80等型号，帮助终端厂商降低成本并提升供应链自主可控性。

IPW60R070CFD
　　STW80NK80Z
　　FQP80N80
　　IRFP4668
　　APT80GP80J