GP30B120KD-E 时间：2025/12/26 19:21:12 阅读：11

GP30B120KD-E是一款由Global Power（杰力功率半导体）推出的高电压、大电流的碳化硅肖特基二极管（SiC Schottky Diode），专为高性能电源转换系统设计。该器件采用先进的碳化硅材料技术，具备卓越的热稳定性和高频工作能力，适用于工业电源、新能源发电、电动汽车充电系统及高压直流变换器等应用领域。GP30B120KD-E具有1200V的额定反向电压和30A的平均正向电流能力，能够在高温环境下稳定运行，显著提升系统效率并减少散热需求。其无反向恢复电荷的特性使其在高频开关电路中表现出色，大幅降低开关损耗和电磁干扰（EMI）。该器件通常采用TO-247封装，具备良好的热传导性能和机械稳定性，适合高功率密度设计。GP30B120KD-E符合RoHS环保标准，并通过了多项国际可靠性认证，确保在严苛工况下的长期可靠运行。

参数

型号：GP30B120KD-E
　　类型：碳化硅肖特基二极管
　　封装形式：TO-247
　　额定电压：1200V
　　平均正向电流：30A
　　峰值正向浪涌电流：280A
　　最大正向压降：1.7V @ 30A
　　反向漏电流：5mA @ 1200V, 150°C
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +175°C
　　反向恢复时间：0ns
　　热阻（结到壳）：1.2°C/W
　　安装扭矩：1.0 N·m

特性

GP30B120KD-E的核心优势在于其基于6英寸4H-SiC外延材料制造的碳化硅肖特基势垒结构，这种设计从根本上消除了少数载流子的储存效应，从而实现零反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）和极低的开关损耗。这一特性在高频DC-DC变换器、图腾柱PFC电路以及太阳能逆变器中尤为重要，能够显著提升系统整体效率，降低对驱动电路的设计压力。同时，由于没有反向恢复过程，该器件在开关瞬间不会产生电流反向流动，有效抑制了电压尖峰和电磁干扰，提升了系统的EMI性能。
　　该器件具备出色的高温工作能力，最大结温可达175°C，远高于传统硅基PIN二极管的150°C限制。在高温环境下，其反向漏电流虽随温度上升而增加，但仍处于可控范围，且不会引发热失控现象。这使得GP30B120KD-E能够在高环境温度或强制风冷受限的应用中保持稳定运行，减少了对复杂散热系统的需求，有助于缩小整机体积和降低成本。
　　此外，GP30B120KD-E的正向导通压降较低，在30A工作电流下典型值仅为1.7V，相较于同类SiC二极管具有竞争力。低Vf意味着更低的导通损耗，尤其在持续高负载工况下表现优异。结合其1.2°C/W的低热阻（RthJC），热量可高效传导至散热器，避免局部过热。TO-247封装还提供了良好的电气隔离和机械强度，支持快速安装与维护，适用于模块化电源设计。

应用

GP30B120KD-E广泛应用于各类高效率、高频率的电力电子系统中。在光伏逆变器领域，常用于直流侧升压电路中的续流二极管或防反接保护，利用其零反向恢复特性提升MPPT效率并降低系统温升。在电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充桩中，该器件可用于PFC级和DC-DC变换级，提高功率密度并满足严苛的能效标准。通信电源和服务器PSU等高端电源设备也采用该型号以实现98%以上的转换效率。
　　在工业电机驱动和UPS不间断电源系统中，GP30B120KD-E可作为IGBT或SiC MOSFET的续流二极管，显著降低换流过程中的能量损耗，提升动态响应速度。其高耐压和高浪涌能力（280A IFSM）使其能够应对电网波动和短时过载，保障系统安全运行。此外，该器件也适用于高压感应加热、激光电源等特种电源场合，在极端工作条件下仍能维持稳定性能。随着碳化硅技术的普及，GP30B120KD-E正逐步替代传统超快恢复二极管和硅基PIN二极管，成为新一代高效能源转换系统的首选器件之一。