型号：GP20B60PD
　　类型：肖特基势垒二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：600V
　　最大RMS电压（VRMS）：420V
　　最大直流阻断电压（VDC）：600V
　　平均整流电流（IO）@TC=75°C：20A
　　峰值浪涌电流（IFSM）@8.3ms sine：200A
　　最大正向电压降（VF）@20A, TJ=25°C：1.7V
　　最大漏电流（IR）@TJ=25°C：0.5mA
　　最大漏电流（IR）@TJ=150°C：50mA
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-247

GP20B60PD的核心优势之一是其低正向导通压降，在20A的工作电流下，典型正向压降仅为1.7V左右，这显著降低了导通期间的能量损耗，提高了电源转换效率。尤其在低压大电流输出的开关电源中，这种低VF特性可以有效减少发热，提升系统能效比。同时，由于肖特基二极管的载流子传输机制基于多数载流子，不存在少数载流子的存储效应，因此该器件几乎没有反向恢复时间（trr），也不会产生明显的反向恢复电流尖峰，从而大幅减少了开关过程中的动态损耗，特别适合用于高频PWM控制电路中。
　　另一个关键特性是其优异的热管理能力。TO-247封装具有较大的金属背板面积，便于安装散热器，实现高效的热量传导。器件内部结构经过优化，热阻较低，确保即使在满负荷运行条件下也能维持稳定的结温。此外，GP20B60PD具备较强的抗浪涌能力，可承受高达200A的非重复浪涌电流，增强了在电网波动或启动冲击等异常工况下的可靠性。该器件还具有良好的长期稳定性与抗老化性能，经过严格的高温反偏（HTRB）和高温存储（HTSL）测试，确保在恶劣环境下的持久工作能力。
　　从制造工艺上看，GP20B60PD采用平面扩散技术和银烧结工艺，提升了芯片与引线框架之间的结合强度，进一步提高了机械可靠性和热循环耐久性。其宽泛的工作温度范围使其适用于工业、通信和新能源等多种严苛应用场景。此外，器件外壳绝缘设计良好，支持多种安装方式，并可通过绝缘垫片或云母片实现电气隔离。整体而言，GP20B60PD凭借其高电压等级、大电流承载能力、低损耗和高可靠性，成为中高端功率整流应用的理想选择。

GP20B60PD广泛应用于各类中高功率电力电子设备中，特别是在需要高效、高频整流的场合表现突出。常见应用包括不间断电源（UPS）、通信电源、服务器电源、光伏逆变器和风力发电变流器等新能源系统。在这些系统中，它常被用作输出整流二极管，将高频变压器次级侧的交流脉冲转换为直流电，其低正向压降有助于提升整体转换效率，降低温升，延长系统寿命。
　　在工业自动化领域，该器件可用于变频器、伺服驱动器和感应加热电源中的续流或箝位电路，利用其快速响应特性防止感性负载产生的反电动势损坏主开关器件（如IGBT或MOSFET）。此外，在DC-DC升压或降压转换器中，GP20B60PD可作为同步整流的替代方案，尤其是在同步整流控制复杂或成本受限的情况下，仍能提供较高的效率水平。
　　在消费类大功率电器如大功率LED驱动电源、电焊机电源模块中，该二极管也发挥着重要作用。其高浪涌电流承受能力使其在冷启动或短时过载情况下依然保持稳定。同时，由于其封装体积适中且易于散热，非常适合集成在紧凑型电源模块中。在电动汽车车载充电机（OBC）和充电桩电源模块中，GP20B60PD同样具备应用潜力，尤其是在PFC（功率因数校正）级后的整流环节，能够有效配合主控IC完成高效能量转换。总之，该器件适用于所有对效率、可靠性和热性能有较高要求的中高功率电源拓扑结构。

GBU20J60CP
　　STTH20R06D
　　MBR2060CT
　　VSK2060