时间：2025/4/25 14:54:46
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1EDI30I12MH是一款由英飞凌（Infineon）生产的MOSFET功率晶体管，采用TO-247封装形式。该器件属于增强型N沟道绝缘栅双极晶体管（IGBT），主要应用于高电压和大电流的电力电子设备中，例如工业电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及焊接设备等。其额定电压为1200V，额定电流为30A，具有低导通损耗和快速开关性能的特点。
集电极-发射极击穿电压：1200V
连续集电极电流：30A
门极阈值电压：6.5V
总功耗：350W
导通压降：1.8V
开关时间：ton=95ns，toff=125ns
工作温度范围：-40℃至+150℃
封装形式：TO-247
1EDI30I12MH采用了先进的IGBT技术，具备较低的导通压降以减少功率损耗，并且优化了开关特性以适应高频应用需求。
该器件内部集成了一个反并联二极管，能够有效处理感性负载引起的电流反向流动问题。
此外，其出色的热性能和坚固耐用的设计确保了在恶劣环境下的稳定运行。
由于其高电压和大电流承载能力，这款IGBT非常适合用于需要高效功率转换的应用场景。
1EDI30I12MH广泛应用于各种高功率密度的电力电子系统中，包括但不限于以下领域：
工业电机驱动控制
不间断电源（UPS）系统
新能源领域如太阳能逆变器和风能发电
电动汽车充电站
焊接设备
高压直流输电（HVDC）
1EDI30I12P_F06H
FGH30N120SMD
IRGP40B12DPBF
CST67G120DM
