时间：2025/12/28 21:09:07
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IRM047U7 是由 Vishay Semiconductors 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高频率开关应用，广泛应用于 DC-DC 转换器、电源管理、同步整流、负载开关以及电池供电设备等场合。IRM047U7 采用先进的沟槽技术，具备较低的导通电阻（Rds(on)）和优良的热性能，使其在高电流应用中具有出色的能效表现。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100A（在 Tc=25°C）
漏极功耗（Pd）：140W
导通电阻 Rds(on)：最大 4.7mΩ（在 Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：PowerPAK SO-8 双面散热
IRM047U7 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少导通损耗，提高系统的整体效率。该器件采用 Vishay 的沟槽 MOSFET 技术，使得在保持高性能的同时，尺寸也较为紧凑，适合空间受限的设计。IRM047U7 具有良好的热管理能力，得益于其双面散热的 PowerPAK SO-8 封装，能够在高电流负载下保持稳定的温度表现。
此外，该 MOSFET 具有快速的开关速度，适用于高频开关电源设计，从而减少外部滤波元件的尺寸和成本。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动损耗，提高开关效率。IRM047U7 的额定工作温度范围较宽，从 -55°C 到 +175°C，适合在极端环境下工作，增强了其在工业和汽车应用中的可靠性。
在可靠性方面，IRM047U7 提供了优异的雪崩能量耐受能力，能够在非正常工作条件下保护器件免受损坏。同时，其栅极氧化层具有良好的耐用性，能够承受多次开关操作而不发生性能退化。
IRM047U7 主要用于需要高效率和高电流能力的功率转换系统中。例如，在同步整流的 DC-DC 转换器中，它可作为高边或低边开关，实现高效的能量转换。在电池管理系统中，该 MOSFET 可用于电池充放电控制和保护电路。另外，由于其高速开关特性，IRM047U7 也适用于电机控制、负载开关、电源分配系统以及汽车电子中的功率管理模块。
此外，该器件还常用于服务器和通信设备的电源模块中，以满足高功率密度和高效率的需求。在汽车电子领域，IRM047U7 可用于车载充电器、电动助力转向系统、车身控制模块等应用场景。由于其在高温环境下依然表现良好，因此也适用于工业自动化设备和户外电源系统。
SiSS140DN, SQM140EL, IPD140N03L G, FDS4717
