波长：850 nm
　　正向电压（VF）：1.2 V @ 100 mA
　　正向电流（IF）：100 mA（最大）
　　功耗（PD）：150 mW
　　峰值波长：850 nm
　　辐射强度（IE）：30 mW/sr @ 100 mA
　　视角（2θ1/2）：±50°
　　封装形式：SMD（表面贴装）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

GP1FA502RZ 红外LED具有多个显著的技术特性。首先，其发射波长为850 nm，属于近红外光谱范围，适合大多数红外接收模块的灵敏度响应区域，确保了良好的匹配性和传输效率。其次，该器件的最大正向电流为100 mA，能够在较低的功耗下提供较高的辐射强度，典型值为30 mW/sr，这使得它在遥控器和红外通信设备中表现出色。
　　此外，GP1FA502RZ 的视角为±50°，具有较宽的发射角度，有助于在不同方向上保持稳定的红外信号传输。这在需要广角发射的应用中（如家电遥控器、安防系统）尤为重要。其SMD封装形式不仅节省空间，还提高了组装效率，适用于自动化生产线。
　　该红外LED的额定功耗为150 mW，具有良好的热稳定性和可靠性。工作温度范围为-40°C至+85°C，使其能够在广泛的环境条件下稳定运行，适用于工业级和消费级电子设备。此外，GP1FA502RZ 的封装材料具有优异的耐候性和抗老化性能，确保了长期使用中的稳定性和寿命。

GP1FA502RZ 主要应用于红外遥控器、红外通信模块、安防系统、自动门感应器、智能家居设备、红外传感器、工业自动化设备等场景。其高效率和宽视角特性使其成为遥控器和红外发射模块的理想选择。此外，该器件也常用于医疗设备、消费电子产品和汽车电子系统中的红外信号发射部分。

TSAL6200, IR2M850B-AEL, L-53F3C-RC2H-A8T