时间：2025/9/13 21:45:39
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PMPB16R5XNEX是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率电源管理应用而设计。该器件采用先进的技术，提供低导通电阻、高电流能力和良好的热性能，适用于各种功率转换和开关应用。该MOSFET通常用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和电机控制电路中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：160A（在Tc=25°C时）
导通电阻（RDS(on)）：1.6mΩ（最大值，典型值为1.3mΩ）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：PowerFLAT 5x6 HV
PMPB16R5XNEX具有极低的导通电阻，使其在高电流应用中具有较低的功率损耗和更高的效率。其先进的工艺技术确保了稳定的开关性能和良好的热管理能力，从而提高器件的可靠性。
此外，该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力，能够在极端条件下保持稳定运行。其栅极结构设计优化，降低了栅极电荷（Qg），从而减少了开关损耗，适用于高频开关应用。
该器件采用无铅封装，符合RoHS环保标准，适用于工业级和汽车级应用。其封装形式PowerFLAT 5x6 HV提供了优异的散热性能，有助于在高功率密度设计中保持较低的温度上升。
PMPB16R5XNEX广泛应用于电源管理领域，如同步整流、DC-DC降压和升压转换器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统。其高电流能力和低导通电阻也使其适用于服务器电源、电信设备和工业自动化系统。此外，该MOSFET还可用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和电动车辆的功率控制模块。
IPB16R150CE CJ, IPP16R150CFDAKSA1
