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GA1206A6R8DBLBT31G 发布时间 时间:2025/5/21 11:18:36 查看 阅读:13

GA1206A6R8DBLBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,能够有效降低能耗并提升系统性能。
  该型号为表面贴装器件(SMD),适合自动化生产,同时具备良好的热稳定性和抗干扰能力,适用于要求严苛的工作环境。

参数

型号:GA1206A6R8DBLBT31G
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  持续漏极电流(Id):90A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
  总功耗:17W
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-263-3L

特性

GA1206A6R8DBLBT31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著减少功率损耗。
  2. 高效的开关速度,确保在高频应用中的卓越表现。
  3. 强大的浪涌电流承受能力,增强了芯片的可靠性。
  4. 内置ESD保护功能,提高了对静电放电的防护能力。
  5. 优化的热设计,使其能够在高温环境下长期稳定运行。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计,适合绿色产品需求。
  该芯片凭借其出色的电气特性和物理性能,广泛用于工业控制、汽车电子及消费类电子产品中。

应用

GA1206A6R8DBLBT31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和 DC/DC 转换器。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
  3. 汽车电子设备,如雨刷控制器、座椅调节器等。
  4. 工业自动化设备中的负载开关和继电器替代方案。
  5. 各种需要高效功率转换的应用场景。
  其紧凑的设计和高可靠性使其成为现代电子设备的理想选择。

替代型号

GA1206A6R8DBLBT31J, IRF540N, FDP17N60C

GA1206A6R8DBLBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容6.8 pF
  • 容差±0.5pF
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-