时间：2025/8/5 1:53:01
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GN2407BIBE3 是一款由 Vishay Semiconductors 推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效率和高功率密度的电源管理系统中。该器件采用先进的沟槽技术，提供了卓越的导通电阻（Rds(on)）性能和热稳定性。GN2407BIBE3 采用 TO-252（DPAK）封装，适合表面贴装应用，适用于多种电源转换和负载管理场景。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（Id）：75A
最大漏极-源极电压（Vds）：30V
最大栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大值 7.5mΩ（在 Vgs=10V 时）
功耗（Pd）：140W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-252（DPAK）
GN2407BIBE3 的核心优势在于其低导通电阻和高电流承载能力，使其在高功率应用中表现出色。采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，该器件在高温环境下依然保持良好的稳定性和效率。其 TO-252 封装设计便于安装在 PCB 上，并具备良好的散热能力，适用于紧凑型电源设计。此外，该 MOSFET 具有快速开关特性，可减少开关损耗，提高整体系统的能效。
该器件还具备良好的抗雪崩能力，能够在过载或短路情况下保持稳定工作，避免因瞬态电压或电流冲击而导致的损坏。此外，GN2407BIBE3 的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 20V 的驱动电压，兼容多种栅极驱动器设计，增强了其在不同应用中的适用性。
由于其优异的热性能和电气特性，GN2407BIBE3 在汽车电子、工业电源、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等领域得到了广泛应用。
GN2407BIBE3 适用于多种高功率和高效率的电源管理应用。其典型应用场景包括同步整流器、DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关、电机驱动器以及工业自动化控制系统。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块。此外，它也适用于服务器电源、UPS（不间断电源）系统以及太阳能逆变器等应用，满足对高可靠性和高效能的严格要求。
SiSS7410DN-T1-GE3, IRF1407PBF, NexFET CSD17501QPA
