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2SK1507-01MR 发布时间 时间:2025/8/9 15:01:49 查看 阅读:21

2SK1507-01MR是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道功率MOSFET,广泛用于高频率开关应用和电源管理系统中。这款MOSFET设计用于高效率的功率转换,适用于DC-DC转换器、电机驱动器和电池供电设备。2SK1507-01MR采用小型表面贴装封装,具有低导通电阻和高电流承载能力。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):4.5A
  最大漏源电压(VDS):30V
  最大栅源电压(VGS):20V
  导通电阻(RDS(on)):约23mΩ(在VGS=10V)
  功率耗散(PD):2W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:SOT-23

特性

2SK1507-01MR MOSFET具有多个显著的特性,使其适用于各种高频率和高效率的电源转换应用。
  首先,其低导通电阻(RDS(on))确保了在高电流条件下的低功率损耗,从而提高了整体效率。
  其次,该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,提供了优异的开关性能和热稳定性。
  此外,2SK1507-01MR具备高电流密度和良好的热阻特性,能够在紧凑的设计中实现更高的功率密度。
  该MOSFET还具有快速的开关速度,适用于高频率工作环境,从而减小了外部滤波元件的尺寸和成本。
  最后,其表面贴装封装形式(SOT-23)便于自动化生产,提高了PCB布局的灵活性。

应用

2SK1507-01MR MOSFET主要应用于以下领域:
  在电源管理系统中,该器件常用于DC-DC转换器、负载开关和电池充电电路。
  在便携式电子设备中,如笔记本电脑、平板电脑和智能手机,2SK1507-01MR用于高效的电源管理和节能控制。
  工业控制系统中,它被广泛应用于电机驱动器、继电器控制和开关电源模块。
  此外,由于其高频率响应特性,该MOSFET也适用于音频放大器和射频(RF)功率控制电路。

替代型号

2SK1507-01MR的替代型号包括2SK1507-01、2SK1507-01M和Si2302DS。

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