2SK1507-01MR 时间：2025/8/9 15:01:49 阅读：32

2SK1507-01MR是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，广泛用于高频率开关应用和电源管理系统中。这款MOSFET设计用于高效率的功率转换，适用于DC-DC转换器、电机驱动器和电池供电设备。2SK1507-01MR采用小型表面贴装封装，具有低导通电阻和高电流承载能力。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：4.5A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约23mΩ（在VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：2W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

2SK1507-01MR MOSFET具有多个显著的特性，使其适用于各种高频率和高效率的电源转换应用。
　　首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流条件下的低功率损耗，从而提高了整体效率。
　　其次，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供了优异的开关性能和热稳定性。
　　此外，2SK1507-01MR具备高电流密度和良好的热阻特性，能够在紧凑的设计中实现更高的功率密度。
　　该MOSFET还具有快速的开关速度，适用于高频率工作环境，从而减小了外部滤波元件的尺寸和成本。
　　最后，其表面贴装封装形式（SOT-23）便于自动化生产，提高了PCB布局的灵活性。

应用

2SK1507-01MR MOSFET主要应用于以下领域：
　　在电源管理系统中，该器件常用于DC-DC转换器、负载开关和电池充电电路。
　　在便携式电子设备中，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机，2SK1507-01MR用于高效的电源管理和节能控制。
　　工业控制系统中，它被广泛应用于电机驱动器、继电器控制和开关电源模块。
　　此外，由于其高频率响应特性，该MOSFET也适用于音频放大器和射频（RF）功率控制电路。