时间：2025/5/22 12:04:46
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PSB50505EV1.3 是一款基于 GaN（氮化镓）技术的高效率、高频开关功率晶体管。该器件采用了增强型 E-Mode GaN 技术，能够在高频条件下提供极低的导通电阻和快速的开关性能。它适用于高密度电源转换应用，例如 DC-DC 转换器、无线充电模块、服务器电源等。
PSB50505EV1.3 的封装形式为 LFPAK8 封装，能够实现更高的热性能和电气性能。其设计目标是满足现代电力电子设备对高效能、小型化的需求。
额定电压：650V
额定电流：5A
导通电阻：120mΩ
栅极电荷：3nC
反向恢复时间：无反向恢复
最大工作温度范围：-55℃ 至 150℃
封装类型：LFPAK8
PSB50505EV1.3 具备以下关键特性：
1. 高效开关能力：由于 GaN 材料的优异特性，该器件可以以 MHz 级别频率运行，从而减少磁性元件的尺寸并提升整体效率。
2. 极低的导通电阻：在 25℃ 下，导通电阻仅为 120mΩ，降低了导通损耗。
3. 快速开关速度：得益于极低的栅极电荷（3nC），该器件具有超快的开关速度，可显著降低开关损耗。
4. 无反向恢复损耗：与传统硅基 MOSFET 不同，GaN 器件没有体二极管反向恢复问题，进一步提升了效率。
5. 热性能优秀：采用 LFPAK8 封装，确保良好的散热性能，适合高功率密度应用。
PSB50505EV1.3 广泛应用于需要高效率和高频工作的场景，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 无线充电发射端
4. 电机驱动电路
5. 数据中心和服务器电源模块
6. 消费类电子产品中的快充适配器
PSB50505EV1.2, TPH2502PNH
