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IRL3705NPBF 发布时间 时间:2024/8/23 15:41:33 查看 阅读:756

额定功率:130 W
  针脚数:3
  漏源极电阻:0.01Ω
  极性:N-Channel
  耗散功率:130 W
  阈值电压:2 V
  漏源极电压(Vds):55 V
  连续漏极电流(Ids):89A
  上升时间:140 ns
  输入电容(Ciss):3600pF 25V(Vds)
  额定功率(Max):70 W
  下降时间:78 ns
  工作温度(Max):175℃
  工作温度(Min):-55℃
  耗散功率(Max):170W(Tc)

目录

封装参数

安装方式:Through Hole
  引脚数:3
  封装:TO-220-3

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IRL3705NPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C89A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 毫欧 @ 46A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs98nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3600pF @ 25V
  • 功率 - 最大170W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRL3705NPBF