时间：2025/3/25 9:44:55
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GMJ316BB7475MLHT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，专为高频开关应用设计。该器件采用增强型横向场效应晶体管（eGaN FET）结构，具有极低的导通电阻和快速的开关特性，适用于高频DC-DC转换器、电源管理模块以及射频功率放大器等场景。
由于其出色的性能表现，GMJ316BB7475MLHT 在高功率密度和高效能要求的应用中得到了广泛认可。该芯片通过优化的封装设计进一步提升了散热性能，使其能够在高温环境下稳定运行。
型号：GMJ316BB7475MLHT
类型：增强型 GaN HEMT
最大漏源电压：600 V
连续漏极电流：20 A
导通电阻：75 mΩ
栅极电荷：60 nC
反向恢复电荷：无（零反向恢复）
工作温度范围：-55 ℃ 至 +175 ℃
封装形式：MLP8 封装
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，仅为 75 毫欧，能够显著降低传导损耗，提升整体系统效率。
2. 快速开关能力，支持高达几兆赫兹的工作频率，从而减小无源元件尺寸，提高功率密度。
3. 零反向恢复电荷，消除了与传统硅 MOSFET 相关的反向恢复损耗问题。
4. 高击穿电压（600V），确保在高压环境下的可靠性。
5. 支持高温操作，最高结温可达 175℃，满足工业及汽车级应用需求。
6. 良好的热性能，得益于 MLP8 封装设计，有助于散热管理。
1. 高频 DC-DC 转换器，用于服务器、通信设备中的高效电源供应。
2. 图形处理器 (GPU) 和中央处理器 (CPU) 的多相供电模块。
3. 射频功率放大器，在无线通信基站中提供高效的 RF 输出。
4. 电动汽车 (EV) 充电桩和车载充电器中的功率转换电路。
5. 工业自动化设备中的高性能驱动器和控制器。
6. 太阳能逆变器中的高频切换组件。
GMJ316BB7500MLHT, GMJ316BB7450MLHT
