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BSP170P-L6327 发布时间 时间:2025/8/13 18:42:21 查看 阅读:25

BSP170P-L6327 是英飞凌科技(Infineon Technologies)生产的一款P沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源管理和开关应用。该器件采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻和高效率的特性,适合在中高功率系统中使用。该MOSFET封装为PG-SOT223,是一种表面贴装封装,便于自动化装配和高密度PCB布局。

参数

类型:P沟道
  漏源电压(Vds):-20V
  栅源电压(Vgs):±12V
  连续漏极电流(Id):-4.8A
  导通电阻(Rds(on)):最大120mΩ @ Vgs = -10V;最大200mΩ @ Vgs = -4.5V
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装:PG-SOT223

特性

BSP170P-L6327 的核心特性之一是其优异的导通性能,低Rds(on)有助于减少功率损耗,提高系统效率。该器件的P沟道设计使其在高边开关应用中表现出色,例如在电源转换器和负载开关中。此外,该MOSFET具有快速开关能力,有助于减少开关损耗,提高响应速度。
  另一个显著的特性是其耐用性和高可靠性。该器件采用了英飞凌的先进沟槽技术,确保在高电流和高温条件下仍能稳定运行。PG-SOT223封装不仅提供了良好的热管理,还具备较高的机械稳定性,适合工业级应用环境。
   BSP170P-L6327 还具备较强的抗静电能力(ESD)和较高的雪崩能量耐受性,使其在严苛的电磁环境中仍能正常工作。这使其成为汽车电子、工业自动化和消费类电子产品中的理想选择。

应用

BSP170P-L6327 主要应用于需要高效能、小尺寸和高可靠性的电路设计中。典型的应用包括DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电源分配系统、电机控制电路以及各类便携式电子设备的电源管理模块。
  在汽车电子领域,该MOSFET常用于车载电源系统、车身控制模块和车载充电器等应用。由于其能够在宽温度范围内稳定运行,因此也适合用于发动机控制单元和车载网络设备。
  在工业自动化设备中,该器件可用于驱动继电器、传感器和执行器,提供高效可靠的电源控制解决方案。此外,在消费类电子产品如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理系统中,该MOSFET也具有广泛的应用前景。

替代型号

BSP170P, BSS84P, Si3442DS, AO4407A, IRML2803PBF