J5304 是一款由国产厂商生产的通用型N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于各类电源管理和开关电路中。该器件具有较低的导通电阻(Rds(on))、较高的耐压能力和较大的工作电流容量,适合应用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关、电池管理系统等场合。J5304采用TO-252(DPAK)封装,具备良好的热稳定性和电气性能。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):40V
栅源电压(Vgs):±20V
漏极电流(Id):持续10A(25°C)
导通电阻(Rds(on)):≤5.5mΩ(Vgs=10V)
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-252(DPAK)
J5304具备出色的电气性能和稳定的工作表现,适合多种功率应用。其主要特性包括低导通电阻、高电流承载能力和优良的热稳定性。该器件的Rds(on)较低,有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,J5304的栅极驱动电压范围较宽,支持常见的10V或12V驱动电压,便于与各类驱动电路兼容。
在封装方面,J5304采用TO-252(DPAK)封装,具有良好的散热性能,适用于表面贴装工艺,提高了PCB布局的灵活性。该器件还具备较强的抗过载能力和良好的短路耐受性,适用于各种工业和消费类电子设备。
J5304的内部结构设计优化了电场分布,提高了器件的可靠性和寿命,同时具备良好的抗静电能力和抗干扰性能,适合在复杂电磁环境中使用。
J5304常用于各类电源管理系统和功率开关电路中,包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池充电与保护电路、LED驱动电源、工业自动化设备以及智能家电控制模块等。其低导通电阻和高电流能力使其在高效能、高密度电源设计中表现出色。
Si4410BDY-T1-GE3
AO4406A
IRFZ44N
FDS4410
TP4410