时间：2025/9/22 9:56:52
阅读：22
MB672704PF-G-BNB是一款由富士通（Fujitsu）公司生产的高性能、低功耗的铁电随机存取存储器（Ferroelectric Random Access Memory, FRAM）。FRAM是一种非易失性存储技术，结合了RAM的高速读写能力和ROM的非易失性特点，能够在断电后依然保存数据。MB672704PF-G-BNB采用先进的铁电工艺制造，具有极高的读写耐久性和快速的数据写入能力，适用于需要频繁进行数据记录和高可靠性的工业、医疗、汽车及消费类电子应用。
该器件的存储容量为4兆位（512K × 8位），采用标准并行接口设计，兼容异步SRAM时序，便于系统集成和替换传统SRAM或EEPROM。其工作电压范围通常为3.0V至3.6V，支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），确保在恶劣环境下的稳定运行。封装形式为44引脚TSOP II（Thin Small Outline Package），有助于节省PCB空间并提升系统集成度。
与传统的EEPROM或闪存相比，MB672704PF-G-BNB在写入速度、功耗和写入寿命方面具有显著优势。它无需等待写入周期，支持字节级写入操作，写入速度可达纳秒级别，且写入次数理论上可达10^14次以上，远高于EEPROM的10^5~10^6次。这使得该芯片特别适合用于实时数据采集、日志记录、配置信息存储等对写入性能和可靠性要求较高的应用场景。
型号：MB672704PF-G-BNB
制造商：Fujitsu
存储类型：FRAM（铁电存储器）
存储容量：4 Mbit (512K × 8)
接口类型：并行接口
供电电压：3.0V ~ 3.6V
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
封装类型：44-TSOP II
访问时间：70ns
写入耐久性：> 10^14 次
数据保持时间：10年 @ 最大工作温度
组织结构：512K × 8 位
输入/输出电平：CMOS 兼容
待机电流：≤ 15 μA
工作电流：≤ 15 mA
MB672704PF-G-BNB的核心技术基于铁电电容的极化状态来存储数据，这种物理机制使其具备卓越的非易失性和超高的写入耐久性。与传统的基于浮栅技术的EEPROM或Flash不同，FRAM在写入过程中不会发生材料损耗，因此其写入寿命几乎不受限制，可达到10^14次以上，极大地延长了系统的使用寿命并减少了因存储器磨损导致的故障风险。此外，该芯片支持字节级写入操作，无需扇区擦除或页编程的复杂流程，写入延迟极短，典型值在几十纳秒内即可完成，显著提升了系统响应速度和数据记录效率。
在功耗方面，MB672704PF-G-BNB表现出色。由于其写入过程不需要高电压泵升电路，写入电流远低于Flash或EEPROM，有效降低了系统整体功耗。同时，该器件支持低功耗待机模式，在待机状态下电流消耗可低至15μA以下，非常适合电池供电或对能效要求严苛的应用场景。其CMOS兼容的输入输出电平也简化了与微控制器、DSP或其他逻辑器件的接口设计。
该芯片具备优异的抗辐射和抗干扰能力，能够在高电磁干扰环境下稳定工作，适用于工业自动化、汽车电子和医疗设备等对可靠性要求极高的领域。数据保持时间长达10年以上，即使在高温环境下也能确保数据完整性。此外，MB672704PF-G-BNB遵循RoHS环保标准，采用无铅封装工艺，符合现代电子产品对环保和可持续发展的要求。其封装形式为44引脚TSOP II，标准化的设计便于自动化贴片和回流焊工艺，有利于大规模生产。
MB672704PF-G-BNB广泛应用于需要高频数据写入和高可靠性的嵌入式系统中。在工业控制领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、数据采集模块和传感器节点中，用于实时记录设备运行状态、工艺参数和故障日志。其快速写入特性可有效避免数据丢失，尤其是在突发断电情况下仍能保证关键信息的完整保存。
在汽车电子系统中，该芯片可用于发动机控制单元（ECU）、车载黑匣子（Event Data Recorder）、胎压监测系统（TPMS）以及车身控制模块，用于存储车辆配置信息、驾驶行为数据和故障码等。其宽温工作范围和高抗干扰能力确保在复杂车载环境中长期稳定运行。
在医疗设备中，如病人监护仪、血糖仪和便携式诊断设备，MB672704PF-G-BNB可用于存储患者历史数据、设备校准参数和使用日志，满足医疗行业对数据安全和可靠性的严格要求。
此外，该芯片还适用于智能仪表（如电表、水表、气表）、POS终端、打印机、复印机等消费类和商用设备，作为配置存储或事件记录介质。其替代传统EEPROM或SRAM+备用电池方案的能力，不仅简化了系统设计，还提高了整体可靠性并降低了维护成本。
Cypress CY15B104QS
Infineon MB85RC512T
Rohm BR25H400FJ-C
