时间：2025/6/26 21:17:50
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GMC04CG820G100NT是一款基于碳化硅（SiC）技术的功率MOSFET芯片，主要应用于高效率、高频开关场景。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够在高温环境下保持优异的性能。它广泛用于电动汽车充电设备、太阳能逆变器、工业电源以及各种高频DC-DC转换器中。
作为一款高性能的功率半导体器件，GMC04CG820G100NT采用了先进的沟槽栅结构设计，优化了动态特性和静态特性之间的平衡，从而显著提高了系统的整体效率。
型号：GMC04CG820G100NT
类型：SiC MOSFET
最大漏源电压(Vds)：1200V
连续漏极电流(Id)：40A
导通电阻(Rds(on))：8.2mΩ
栅极电荷(Qg)：150nC
输入电容(Ciss)：3600pF
反向恢复时间(trr)：<50ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
GMC04CG820G100NT的核心优势在于其卓越的电气性能和可靠性：
1. 使用碳化硅材料，使得器件能够承受更高的工作电压，并且具备更低的导通损耗。
2. 高速开关能力，得益于超低的反向恢复时间和栅极电荷，适用于高频应用环境。
3. 极低的导通电阻，在大电流条件下减少功率损耗。
4. 良好的热稳定性，支持在极端温度范围内的稳定运行。
5. 沟槽栅极设计增强了电流承载能力，同时降低了驱动要求。
6. 具备强大的短路耐受能力，提升了系统级的安全性。
此外，该器件还符合RoHS标准，适合环保型设计需求。
GMC04CG820G100NT非常适合需要高效能量转换和紧凑设计的应用领域，包括但不限于以下场景：
1. 太阳能光伏逆变器中的功率转换模块。
2. 电动汽车充电站的高频整流与功率调节电路。
3. 工业电机驱动和不间断电源(UPS)系统。
4. 高频DC-DC变换器及PFC（功率因数校正）电路。
5. 任何对体积、重量或效率有严格要求的电力电子设备均可采用此器件。
GMC04CG820G120NT
GMC04CG820G150NT
