时间：2025/6/12 16:58:33
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GMC04CG751F100NT 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等应用领域。该器件采用先进的沟槽式工艺制造，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合于高效率和高频工作的场景。
这款 MOSFET 属于 N 沤道增强型器件，能够在高频条件下提供优异的性能表现，同时其封装形式支持良好的散热性能。
类型：MOSFET
极性：N 沝道
漏源电压(Vds)：75V
连续漏极电流(Id)：100A
导通电阻(Rds(on))：1.2mΩ（最大值，典型值为1.0mΩ）
栅极电荷(Qg)：65nC
输入电容(Ciss)：3800pF
反向恢复时间(trr)：95ns
工作温度范围(Tj)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247-3
GMC04CG751F100NT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可有效降低传导损耗，提高整体效率。
2. 高额定电流能力 (Id=100A)，适用于大功率应用场景。
3. 快速开关特性，栅极电荷 Qg 较小，有助于减少开关损耗。
4. 优秀的热稳定性，在高温环境下仍能保持可靠的性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
6. 支持宽泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃)，适用于恶劣环境条件下的使用。
GMC04CG751F100NT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中作为主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率开关元件。
3. DC-DC 转换器中的功率级 MOSFET。
4. 太阳能逆变器及储能系统的功率转换模块。
5. 工业自动化设备中的负载控制与切换。
6. 电动车及混合动力汽车的动力系统组件。
7. 高效照明系统中的电子镇流器或 LED 驱动电路。
GMC04CG751F100N, IRFP2907ZPBF, FDP150N07SBD
