时间：2025/8/2 5:52:21
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PMPB20XNEA 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高效率的电源管理系统。该器件采用了先进的技术，确保在高电流和高电压条件下仍能保持良好的性能和可靠性。其封装形式为 TO-220，适用于多种电源应用，包括 DC-DC 转换器、电机控制和功率开关等。
类型：N沟道增强型 MOSFET
漏极-源极电压（VDS）：200V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：16A（连续）
功耗（PD）：50W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
存储温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220
PMPB20XNEA 功率 MOSFET 具备多项优越特性，使其在高功率应用中表现出色。
首先，该器件的漏极-源极电压（VDS）为 200V，能够承受较高的电压应力，适用于需要高压工作的电路设计。同时，其栅极-源极电压（VGS）为 ±20V，保证了在各种控制信号下的稳定操作。
其次，PMPB20XNEA 的漏极电流（ID）为 16A（连续），能够在高电流负载下保持较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少导通损耗并提高系统效率。此外，其功耗（PD）为 50W，确保在高功率运行时不会因过热而失效。
该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，具有良好的温度适应性，适合在各种恶劣环境下使用。其 TO-220 封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装在散热片上，进一步增强其热管理能力。
最后，PMPB20XNEA 具备快速开关特性，能够有效减少开关损耗，提高整体系统的响应速度和效率。这使其成为高性能电源转换和电机控制应用的理想选择。
PMPB20XNEA MOSFET 主要应用于需要高电压和高电流处理能力的功率电子系统。例如，在 DC-DC 转换器中，它可以作为主开关器件，实现高效的电压转换。在电机控制系统中，PMPB20XNEA 可以用作功率开关，提供快速响应和精确的控制能力。此外，它还广泛用于电源适配器、电池充电器和不间断电源（UPS）系统中，作为关键的功率管理元件。由于其高可靠性和良好的热性能，PMPB20XNEA 也非常适合工业自动化和汽车电子系统中的高功率需求应用。
IRF150, FDPF16N20C, STP16NF20
