时间：2025/6/10 11:47:51
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GMC04CG330J16NT 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 N 沟道增强型技术，广泛用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和其他功率管理应用中。其低导通电阻和高电流处理能力使其成为高效能功率转换的理想选择。
该器件封装形式为 TO-263-3（D2PAK），具有较高的耐用性和散热性能。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：48A
导通电阻：3.3mΩ
总功耗：150W
工作温度范围：-55℃ to 175℃
封装形式：TO-263-3
GMC04CG330J16NT 提供了非常低的导通电阻（Rds(on)），仅为 3.3mΩ，从而显著减少了功率损耗并提高了系统效率。
此外，该器件还具备快速开关速度和较低的栅极电荷（Qg），有助于降低开关损耗。
由于其支持高达 175℃ 的结温，并采用了坚固耐用的 D2PAK 封装，因此能够承受恶劣的工作环境。
其出色的热特性和电气性能使其非常适合在工业和汽车领域中的高功率应用。
这款 MOSFET 常见的应用包括但不限于以下：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器中的高频开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制元件。
4. 电池管理系统中的负载切换和保护元件。
5. 太阳能逆变器以及其他新能源相关设备中的功率转换模块。
GMC04CG330J16NL, GMC04CG330J16NTT, IRF3205, FDP047N06L
