时间：2025/5/19 12:52:18
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GMC04CG361J100NT是一款由知名制造商生产的功率MOSFET芯片，主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，能够有效降低系统功耗并提高效率。此外，它还具有出色的热性能和可靠性，适用于对性能要求较高的工业及消费类电子产品中。
型号：GMC04CG361J100NT
类型：N-Channel MOSFET
漏源极击穿电压(Vdss)：60V
连续漏极电流(Id)：36A
导通电阻(Rds(on))：1.0mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷(Qg)：52nC（最大值）
输入电容(Ciss)：2780pF
封装形式：TO-247-3L
工作温度范围：-55℃至+175℃
GMC04CG361J100NT的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗，提升整体效率。
2. 快速开关能力，支持高频率操作，适合高频开关应用。
3. 出色的热性能，确保在高电流条件下依然保持稳定运行。
4. 高电流承载能力，允许其在大功率场景下使用。
5. 良好的电气特性和机械稳定性，提升了产品的可靠性和寿命。
6. 符合RoHS标准，环保且安全，满足国际法规要求。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)设计中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率级元件，用于高效能量转换。
3. 工业控制设备中的电机驱动电路。
4. 电动汽车(EV)及混合动力汽车(HEV)相关的电池管理系统(BMS)和逆变器。
5. 其他需要高性能功率开关的应用场合，如不间断电源(UPS)、太阳能逆变器等。
GMC04CG361J150NT, IRF3205, FDP5500
