时间：2025/9/2 20:55:38
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3N178是一款早期的N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于开关电源、电机控制和功率放大电路中。该器件具有较高的耐压能力，适用于中低功率应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：100V
最大漏极电流（ID）：5A
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约0.4Ω
最大功耗（PD）：40W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
3N178 MOSFET具有良好的开关特性，适用于中等功率水平的电子电路。其N沟道增强型结构允许在栅极施加正电压时导通，从而控制漏极和源极之间的电流流动。该器件的导通电阻相对较低，有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体效率。此外，3N178具有较高的热稳定性，能够在较高的工作温度下保持性能稳定。其TO-220封装设计有助于有效的散热，适用于各种工业和消费类电子产品。
这款MOSFET的栅极驱动要求相对简单，通常只需提供适当的栅极电压即可实现快速开关。由于其较高的耐压能力，3N178可以在多种电源管理应用中使用，例如DC-DC转换器、负载开关和脉宽调制（PWM）控制器。此外，3N178还具有较低的输入电容，有助于减少高频开关应用中的驱动损耗。
3N178主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制电路、功率放大器和负载开关等应用。它适用于需要中等功率控制的工业设备、电源适配器和消费电子产品。
IRF540, 2N6756, BUZ11
